[实用新型]一种SERS芯片有效
申请号: | 201820397467.8 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN208206802U | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 孙海龙;郭清华 | 申请(专利权)人: | 苏州天际创新纳米技术有限公司 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青;周敏 |
地址: | 215123 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米结构单元 本实用新型 功能分子 聚集体层 纳米粒子 芯片 衬底表面 凹坑 基底 制备方法和应用 分子固定 检测领域 可重复性 性质稳定 灵敏度 衬底 修饰 生长 | ||
1.一种SERS芯片,包括SERS衬底和设置在所述SERS衬底表面的多个纳米结构单元,所述纳米结构单元包括设置在所述SERS衬底表面的多个凹坑、设置在所述凹坑内的纳米粒子聚集体层,其特征在于,所述的纳米结构单元还包括连接在所述纳米粒子聚集体层表面的功能分子层,所述功能分子层用于将待测分子固定到所述纳米粒子聚集体层表面。
2.根据权利要求1所述的SERS芯片,其特征在于:所述功能分子层通过功能分子以共价键结合在所述纳米粒子聚集体层表面上形成。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的SERS芯片,其特征在于:所述凹坑的深度范围为30nm~2μm,口部直径范围为50nm~4μm;所述凹坑的密度为108~1010个/cm2衬底,相邻二个所述凹坑之间的最小间隔距离为1~50nm。
4.根据权利要求1至2中任一项所述的SERS芯片,其特征在于:所述的纳米粒子聚集体层由纳米粒子通过自组装在所述凹坑内形成。
5.根据权利要求4所述的SERS芯片,其特征在于:所述纳米粒子的粒径为2nm~800nm。
6.根据权利要求1至2中任一项所述的SERS芯片,其特征在于:所述的衬底包括无机基材、有机基材或者无机/有机复合基材。
7.根据权利要求1至2中任一项所述的SERS芯片,其特征在于:所述的纳米结构单元还包括连接在所述的功能分子层上的抗体层。
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