[实用新型]单片半导体器件和半导体器件

权利要求书

1.一种单片半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括部分地延伸到所述衬底的第一表面中的开口；

形成在所述开口内的垂直功率晶体管，其中所述衬底的第二表面作为所述垂直功率晶体管的漏极端子操作；以及

第一互连结构，耦接到所述垂直功率晶体管的所述漏极端子以用于感测所述垂直功率晶体管的漏极电压。

2.根据权利要求1所述的单片半导体器件，还包括：

第一控制电路，形成在所述开口外部的所述衬底的一部分中以控制所述垂直功率晶体管；以及

第一隔离沟槽，形成在所述衬底中以将所述垂直功率晶体管和所述第一控制电路隔离。

3.根据权利要求2所述的单片半导体器件，还包括：

第二控制电路，形成在所述开口外部的所述衬底的所述一部分中；以及

第二隔离沟槽，形成在所述开口外部的所述衬底的所述一部分中以将所述第一控制电路和所述第二控制电路隔离。

4.根据权利要求2所述的单片半导体器件，还包括形成在所述垂直功率晶体管和所述第一控制电路之上的第二互连结构。

5.根据权利要求1所述的单片半导体器件，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。

6.一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底包括功率区域和控制区域；

形成在所述衬底的所述功率区域中的垂直晶体管，其中所述衬底的表面作为所述垂直晶体管的漏极端子操作；以及

第一互连结构，耦接到所述垂直晶体管的所述漏极端子以用于感测所述垂直晶体管的漏极电压。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

第一控制电路，形成在所述控制区域中以控制所述垂直晶体管；以及

第一隔离沟槽，形成在所述功率区域与所述控制区域之间以将所述第一控制电路和所述垂直晶体管隔离。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

第二控制电路，形成在所述控制区域中；以及

第二隔离沟槽，形成在所述控制区域中以将所述第一控制电路和所述第二控制电路隔离。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括形成在所述功率区域和所述控制区域之上的第二互连结构。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。