[实用新型]单片半导体器件和半导体器件有效
| 申请号： | 201820399760.8 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208189592U | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·W·霍尔;G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片半导体器件 衬底 半导体器件 功率器件 功率区域 本实用新型 第一表面 控制区域 改进 第二表面 隔离沟槽 控制电路 隔离 | ||
1.一种单片半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括形成到所述衬底的第一表面中的控制区域、第一功率区域和第二功率区域；
第一功率器件，形成在所述第一功率区域中；
第二功率器件，形成在所述第二功率区域中；
控制电路，形成在所述控制区域中；以及
第一隔离沟槽，形成到与所述衬底的所述第一表面相对的所述衬底的第二表面中以将所述第一功率器件和所述第二功率器件隔离。
2.根据权利要求1所述的单片半导体器件，还包括第二隔离沟槽，所述第二隔离沟槽形成到所述衬底的所述第一表面中以将所述第一功率器件和所述控制电路隔离。
3.根据权利要求2所述的单片半导体器件，其中所述第一隔离沟槽延伸到所述第二隔离沟槽。
4.根据权利要求1所述的单片半导体器件，还包括形成在所述第一功率器件和所述控制电路之上的互连结构。
5.根据权利要求1所述的单片半导体器件，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。
6.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一功率器件，形成在所述衬底的第一功率区域中；
第二功率器件，形成在所述衬底的第二功率区域中；
控制电路，形成到所述衬底的控制区域中的所述衬底的第一表面中；以及
第一隔离沟槽，形成到与所述衬底的所述第一表面相对的所述衬底的第二表面中以将所述第一功率器件和所述第二功率器件隔离。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括第二隔离沟槽，所述第二隔离沟槽形成到所述衬底的所述第一表面中以将所述第一功率器件和所述控制电路隔离。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一隔离沟槽延伸到所述第二隔离沟槽。
9.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括形成在所述第一功率区域和所述控制区域之上的互连结构。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述衬底包括绝缘体上硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
