[实用新型]基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器有效
| 申请号： | 201820420685.9 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN207964632U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 葛益娴;蔡凯杰;曹鸿霞 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 戴朝荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包层 复合膜 纤芯 双D型光纤传感器 石墨烯复合膜 本实用新型 石墨烯层 内侧底壁 使用寿命 中心轴线 两侧面 灵敏度 抛光面 体积小 抛光 对称 | ||
1.一种基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：包括纤芯、包层、金银复合膜和石墨烯层，所述纤芯的外表面包裹有一层包层，所述包层的两侧面均设有D型凹槽，两个所述D型凹槽以纤芯为中心轴线相互对称，所述包层上的D型凹槽的内侧底壁为抛光面，所述抛光面上镀有一层金银复合膜，所述金银复合膜的表面敷设有石墨烯层。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述金银复合膜包括金薄膜和银薄膜，所述抛光面上镀有一层银薄膜，所述银薄膜的表面上镀有一层金薄膜。
3.根据权利要求2所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：还包括光源、单模光纤、掺铒光纤放大器和光谱仪，所述光源通过单模光纤与所述纤芯的一端连接，所述纤芯的另一端通过单模光纤与掺铒光纤放大器连接，所述掺铒光纤放大器与光谱仪连接。
4.根据权利要求3所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述光源为宽光谱光源。
5.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述包层上的抛光面的长度为10mm，所述包层上的抛光面与纤芯之间的垂直距离为300nm～500nm。
6.根据权利要求2所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述银薄膜的厚度为40nm～50nm，所述金薄膜的厚度为10nm～20nm。
7.根据权利要求1所述的基于石墨烯复合膜的双D型光纤传感器，其特征在于：所述石墨烯层的层数为1层～10层。
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