[实用新型]一种晶圆温度检测系统有效
| 申请号： | 201820422195.2 | 申请日： | 2018-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN208315508U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 柳建军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01K11/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射光谱 晶圆 干法刻蚀过程 温度检测系统 光谱收集 种晶 半导体制造技术 干法刻蚀设备 光电转换模块 目标光谱曲线 本实用新型 反应生成物 处理模块 处理目标 光电转换 光谱接收 光谱曲线 刻蚀工序 线宽控制 应力变化 反应腔 侦测 检测 分析 | ||
1.一种晶圆温度检测系统，适用于在干法刻蚀过程中检测晶圆温度，干法刻蚀在一干法刻蚀设备的反应腔内进行，所述反应腔内设置有射频发射器，其特征在于，晶圆温度检测系统包括：
光谱接收模块，用于接收所述反应腔内反应生成物各元素的发射光谱；
光谱收集模块，连接所述光谱接收模块，用于处理接收的所述发射光谱以从所述发射光谱中收集特定元素的所述发射光谱作为目标发射光谱；
光电转换模块，连接所述光谱收集模块，用于通过光电转换将所述目标发射光谱处理成相应的目标光谱曲线；
处理模块，连接所述光电转换模块，用于根据所述干法刻蚀设备的刻蚀工序控制所述光谱收集模块的开关，以及用于处理所述目标光谱曲线计算出晶圆温度。
2.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述光谱接收模块为光纤。
3.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述光谱收集模块为所述干法刻蚀设备上的光学发射光谱采集设备。
4.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述特定元素为刻蚀副产物。
5.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述刻蚀工序包括多个物理刻蚀阶段和多个稳定阶段，于所述物理刻蚀阶段内所述射频发射器开启，于所述稳定阶段内所述射频发射器关闭。
6.如权利要求5所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述处理模块包括：
监听单元，用于监听所述干法刻蚀设备的刻蚀进程并输出监听结果；
处理单元，连接所述监听单元，用于处理所述监听结果，并于所述刻蚀进程进入所述稳定阶段时输出一开启指令至所述光谱收集模块；以及
于所述刻蚀进程进入所述物理刻蚀阶段时输出一关闭指令至所述光谱收集模块。
7.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述处理模块包括：
计算单元，用于分析所述目标光谱曲线以获取所述目标光谱曲线的峰值波长，并根据所述峰值波长计算出晶圆温度。
8.如权利要求7所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，所述计算单元使用普朗克黑体定律根据所述峰值波长计算出晶圆温度。
9.如权利要求1所述的晶圆温度检测系统，其特征在于，还包括：
存储模块，连接所述处理模块，用于存储所述处理模块计算得到的晶圆温度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
