[实用新型]红外探测像素结构以及红外探测器

权利要求书

1.一种红外探测像素结构，其特征在于，包括衬底基板和光电晶体管，以及位于所述衬底基板与所述光电晶体管之间的降噪单元；

其中，所述光电晶体管被配置为响应红外波段的光信号以将所述光信号转换为电信号，所述降噪单元被配置为对所述红外探测像素结构进行降温。

2.根据权利要求1所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述光电晶体管包括量子点光电晶体管。

3.根据权利要求2所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述量子点光电晶体管包括栅极，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的栅绝缘层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧的半导体有源层，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧且分别与所述半导体有源层的两端相接触的源极和漏极、以及位于所述半导体有源层、所述源极和所述漏极背离所述衬底基板一侧的量子点层。

4.根据权利要求3所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述半导体有源层包括金属氧化物半导体有源层。

5.根据权利要求3所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述量子点光电晶体管还包括位于所述量子点层背离所述衬底基板一侧的封装层。

6.根据权利要求3所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述降噪单元包括位于所述衬底基板上且相隔预设间距的第一电极和第二电极，位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的N型掺杂层，位于所述第二电极背离所述衬底基板一侧的P型掺杂层，同时覆盖所述N型掺杂层和所述P型掺杂层的第三电极，以及位于所述第三电极背离所述衬底基板一侧的隔离层。

7.根据权利要求6所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述第一电极的降噪电压大于所述第三电极的降噪电压，所述第三电极的降噪电压大于所述第二电极的降噪电压。

8.根据权利要求7所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述第三电极与所述栅极为同一电极，所述隔离层与所述栅绝缘层为相同的绝缘层。

9.根据权利要求1所述的红外探测像素结构，其特征在于，所述衬底基板包括柔性基板或者玻璃基板。

10.一种红外探测器，其特征在于，包括阵列排布的如权利要求1-9任一项所述的红外探测像素结构，与所述红外探测像素结构相连的温度传感器，以及与所述红外探测像素结构和所述温度传感器均相连的控制电路；

其中，所述温度传感器用于读取所述红外探测像素结构的温度值并反馈给所述控制电路，所述控制电路用于读取所述红外探测像素结构检测到的红外数据信号以及根据所述温度传感器反馈的温度值向所述红外探测像素结构发送降噪控制信号。