[实用新型]一种带抗静电膜的液晶面板有效
申请号: | 201820429793.2 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN208126781U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 赵之光;何伦贤 | 申请(专利权)人: | 惠州市宝明精工有限公司 |
主分类号: | G09F9/35 | 分类号: | G09F9/35;G02B1/113;G02B1/16 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫;禹小明 |
地址: | 516083 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增透膜层 抗静电膜层 液晶面板 复合膜 抗静电 本实用新型 抗静电膜 面板本体 二氧化锡复合材料 抗静电性能 三氧化二锑 氮氧化硅 | ||
本实用新型公开了一种带抗静电膜的液晶面板,包括面板本体(1)和抗静电复合膜(2),所述的抗静电复合膜(2)位于面板本体(1)上;所述的抗静电复合膜(2)包括增透膜层(21)和抗静电膜层(22),所述的增透膜层(21)位于液晶面板上,所述的抗静电膜层(22)位于增透膜层(21)上;所述的增透膜层(21)的材料为氮氧化硅,所述的抗静电膜层(22)的材料为三氧化二锑和二氧化锡复合材料。所述的增透膜层(21)的厚度在10nm~50nm之间,所述的抗静电膜层(22)厚度在8nm~30nm之间。本实用新型用于提升液晶面板的抗静电性能。
技术领域
本实用新型涉及液晶面板技术领域,具体涉及一种带抗静电膜的液晶面板及抗静电膜的制备方法。
背景技术
手机、平板电脑和智能穿戴等移动电子设备在人们生活中已经不可或缺,这些电子产品在不同使用环境下的能否正常工作,是考量一个产品品质的关键。以手机为例,其抗静电能力要求比较高,通常要求能抵抗6KV~12KV电压的静电,抗静电能力不仅体现整机结构和电路设计,还涉及到每个零部件的抗静电能力。液晶模组是手机的第一媒介,位于手机的最前端,最容易被静电击伤。为了抗击静电,通常在液晶面板的外表面制作一层透明导电ITO(氧化铟锡)膜,作为抗静电膜,用银浆把ITO(氧化铟锡)抗静电膜与面板的地相连导通,起到疏通静电的作用,保护液晶面板不被静电击伤。通常这层ITO(氧化铟锡)抗静电膜的面电阻为200Ω/cm2~1000Ω/cm2。
随着液晶显示技术的发展,触控和显示一体化成为液晶面板发展方向。所谓触控和显示一体化是指液晶面板集成了触控和显示两个功能,是把触控单元制作在液晶面板的内侧,触控和显示共用一部分电极。触控和显示的控制芯片合二为一,工作时通过芯片的分时扫描技术分别对触控和显示做出响应,两者互不干扰。为了保证抗静电的能力,液晶面板的外表面需要一层抗静电膜,传统ITO(氧化铟锡)抗静电膜,面电阻只能达到千欧级,与地相连通后,吸收掉大部分电荷并降低了触控时电容值的变化和灵敏度,从而影响触控的效果。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是提供一种带抗静电膜的液晶面板及抗静电膜的制备方法,来提升抗静电膜的性能。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种带抗静电膜的液晶面板,包括面板本体和抗静电复合膜,所述的抗静电复合膜位于面板本体上;所述的抗静电复合膜包括增透膜层和抗静电膜层,所述的增透膜层位于液晶面板上,所述的抗静电膜层位于增透膜层上;所述的增透膜层的材料为氮氧化硅,所述的抗静电膜层的材料为三氧化二锑和二氧化锡复合材料。
进一步地,所述的增透膜层的厚度在10nm~50nm之间,所述的抗静电膜层厚度在8nm~30nm之间。
进一步地,所述的面板本体包括上基板玻璃、滤光片、像素阵列、边框、下基板玻璃和液晶材料,所述的滤光片位于上基板玻璃的内侧,所述的像素阵列位于下基板玻璃的内侧,所述的边框围设在上基板玻璃和下基板玻璃之间空间的边缘,所述的液晶材料填充在在上基板玻璃和下基板玻璃之间的空间。
进一步地,所述的像素阵列所在位置还设置有触控单元。
进一步地,所述的上基板玻璃和下基板玻璃均为薄化基板玻璃,厚度均为0.1mm~0.4mm之间值。
本实用新型实现的有益效果如下:
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