[实用新型]二极管

说明书

本实用新型实施例涉及半导体器件领域，公开了一种二极管，包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构，所述钝化结构包括：第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层；所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区；所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层，所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区，所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区；所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层；所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅层上并延伸至覆盖部分所述银电极层。本实用新型所提供的二极管可靠性高。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体器件领域，特别涉及一种二极管。

背景技术

二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，其核心是具有单向导电性的PN结。目前最普遍的二极管大多是使用半导体材料，PN结两端各引出一个电极并加上管壳，就能形成一个半导体二极管。为保证PN结的稳定性及可靠性，在利用半导体制造工艺完成二极管的PN结后，一般会在PN结表面进行钝化，避免PN结收到外界的玷污或水汽的影响。随着电子工业的飞速发展，对器件的可靠性和长期稳定性的要求越来越高。由于功率器件均长时间工作在大电流、高反压、高温等环境下，表面钝化的好坏会直接影响二极管的质量，若表面钝化处理不好，则二极管在后工序封装后较容易受到水汽、金属离子等玷污，使二极管电学性能发生退化，导致二极管漏电流变大、反向击穿曲线蠕动漂移，使二极管的电学性能发生退化。

本实用新型的发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术中的二极管100如图1所示，一般在电极层上进行氮化硅材料钝化。电极层的金属表面，特别是银表面钝化难度较大，无论是进行氮化硅材料钝化还是氮氧化硅材料钝化，都存在刻蚀后银表面受腐蚀的现象，影响焊接质量；或者在较厚的银电极层上的钝化时，氮化硅或者氮氧化硅容易断裂或脱落，导致二极管表面钝化层由于应力大、台阶高而断裂，影响二极管的可靠性。

发明内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种可靠性高的二极管。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种二极管，包括具有P接触区和N接触区的PN结及形成在所述PN结上的钝化结构，所述钝化结构包括：第一介质层、第二介质层、银电极层及聚酰亚胺层；所述第一介质层形成在所述PN结上并包围所述P接触区；所述第二介质层包括二氧化硅层和氮化硅层，所述二氧化硅层形成在所述第一介质层上并延伸至覆盖部分所述P接触区，所述氮化硅层形成在所述二氧化硅层上并延伸至覆盖部分所述P接触区；所述银电极层形成在所述P接触区上并延伸至覆盖部分所述氮化硅层；所述聚酰亚胺层形成在所述氮化硅层上并延伸至覆盖部分所述银电极层。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，针对金属表面的银电极层的二极管的钝化难度大、可靠性不高导致的产品质量低等问题进行改进，在PN结表面进行二氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺复合钝化，由于聚酰亚胺层带有负电荷，可以削弱硅表面电势，且所述聚酰亚胺层性能稳定、耐辐射、电绝缘性好，而所述氮化硅层致密性好，稳定性高，其复合钝化结构能够大大提高器件阻挡外界杂质的能力，从而保证PN结的稳定性及可靠性。

另外，所述第一介质层延伸至所述P接触区、并局部覆盖所述P接触区。如此设置可以保证所述PN结表面除P接触区外的区域被完全隔绝。

另外，所述第一介质层的材质为热氧化生长的二氧化硅介质，具有良好的绝缘性能。

另外，所述银电极层的厚度为3至5微米。

另外，所述聚酰亚胺层的厚度为5微米。

另外，所述二极管还包括设置在所述N接触区上的阴极电极层。

附图说明

图1是根据现有技术中提供的二极管的剖面结构示意图；