[实用新型]一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器

权利要求书

1.一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于，其结构由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），低铝组分AlGaN势垒层（4），高铝组分的AlGaN势垒层（5），两端形成源极和漏极（6），p型透明栅极（7），介质掩膜层（8）。

2.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的衬底（1）为 Si 衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN自支撑衬底中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的应力缓冲层（2）为AlN、AlGaN、GaN的任一种或组合；应力缓冲层厚度为10 nm~5 μm。

4.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的GaN外延层（3）为非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层，还包括掺杂高阻层，所述掺杂高阻层的掺杂元素为碳或铁；GaN外延层厚度为100 nm~20 μm。

5.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的AlGaN势垒层（5）为高铝组分AlGaN，AlGaN层厚度为0-50 nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的AlGaN势垒层材料还可以为AlInN、InGaN、AlInGaN、AlN中的一种或任意几种的组合。

7.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的源极和漏极（6）材料为Ti/Al/Ni/Au合金、Ti/Al/Ti/Au合金、Ti/Al/Mo/Au合金或Ti/Al/Ti/TiN合金。

8.根据权利要求1所述的一种基于p型透明栅极GaN基紫外探测器，其特征在于：所述的p型透明栅极（7）为高质量的NiO、SnO、Cu₂O等材料或者其组合，厚度为1-500 nm。