[实用新型]SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置

权利要求书

1.SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，包括：漏源电压检测单元(1)，所述漏源电压检测单元(1)依次连接逻辑处理单元(2)、脉冲封锁单元(3)和SiCMOSFET(4)的栅极，所述漏源电压检测单元(1)还同时与SiCMOSFET(4)的漏极和源极连接，所述漏源电压检测单元(1)还连接脉冲封锁单元(3)，所述脉冲封锁单元(3)还同时与驱动单元(5)两端和SiCMOSFET(4)的源极连接，所述逻辑处理单元(2)还连接有外部控制器。

2.根据权利要求1所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述漏源电压检测单元(1)包括电阻Rd1，所述电阻Rd1同时连接电阻Rc和电阻Rd2，电阻Rd2还连接参考地；

所述电阻Rc还连接三极管Q的发射极，所述三极管Q的集电极连接参考地，所述三极管Q的基极同时与稳压管Dz的阴极和电阻R3连接，电阻R3还同时与电阻R1的一端、电阻R2的一端连接，所述电阻R1另一端还与脉冲封锁单元(3)连接；所述电阻R2另一端同时与脉冲封锁单元(3)和SiCMOSFET(4)连接；所述稳压管Dz的阳极与参考地相连；

所述电阻Rc还与比较器U1C的正输入端连接，比较器U1C的负输入端同时与电阻R4和可变电阻R5连接，电阻R4还与电源连接，可变电阻R5还与参考地相连接；

所述比较器U1C的输出端O1同时连接电阻R6和逻辑处理单元(2)，电阻R6还与发光二极管D1的阳极连接，发光二极管D1的阴极与参考地连接；

所述电阻Rd1还与SiCMOSFET(4)连接。

3.根据权利要求2所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述逻辑处理单元(2)包括或非门U1N，所述或非门U1N的第一输入端与比较器的输出端O1连接，或非门U1N的第二输入端与电阻R7的一端相连，电阻R7另一端与发光二极管D2的阳极相连，发光二极管D2的阴极与参考地相连；所述或非门U1N的第二输入端还与外部控制器相连；所述或非门U1N的输出端与与非门U2N的第一输入端相连，与非门U2N的第二输入端与与非门U3N的输出端相连，与非门U2N的输出端O2同时与脉冲封锁单元(3)和与非门U3N的第一输入端连接，所述与非门U3N的第二输入端依次连接开关S和电源。

4.根据权利要求3所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述脉冲封锁单元(3)包括电阻Rg，电阻Rg一端与与非门U2N的输出端O2相连，另一端连接mos管M的栅极，mos管M的漏极同时与SiCMOSFET(4)、电阻R1和驱动单元(5)的输出端相连，mos管M的源极同时与SiCMOSFET(4)、电阻R2和驱动单元(5)的接地端相连。

5.根据权利要求4所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述SiCMOSFET(4)的源极同时连接电阻R2、mos管M的源极和参考地，SiCMOSFET(4)的栅极连接mos管M的漏极，SiCMOSFET(4)的漏极与电阻Rd1连接。

6.根据权利要求2所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述三极管Q为PNP型。

7.根据权利要求4所述的SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置，其特征在于，所述mos管M为N沟道型。