[实用新型]抗辐射功率场效应晶体管有效

申请号：	201820445531.5	申请日：	2018-03-31
公开（公告）号：	CN207967004U	公开（公告）日：	2018-10-12
发明（设计）人：	贾国;刘广海;苏晓山;张熠鑫	申请（专利权）人：	深圳吉华微特电子有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/06
代理公司：	北京智晨知识产权代理有限公司 11584	代理人：	张婧
地址：	518000 广东省深圳市龙岗区***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	抗辐射功率场效应晶体管沟道多晶硅栅极层本实用新型中央区域边缘区域栅极结构电极层隔离层氧化层基底半导体制造领域沟道区域介质层包覆正对隔离延伸覆盖
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【权利要求书】：

1.一种抗辐射功率场效应晶体管，包括：具有沟道的基底以及设置在所述沟道上的栅极结构，其特征在于，所述栅极结构包括依次叠设在所述沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，所述隔离层包覆所述多晶硅栅极层、并将所述多晶硅栅极层与所述电极层隔离开，所述氧化层包括正对并覆盖所述沟道的中央区域以及自所述中央区域延伸至所述基底上的非沟道区域的边缘区域，所述中央区域的厚度大于所述边缘区域的厚度。

2.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述隔离层包覆所述介质层并将所述介质层与所述电极层隔离开。

3.根据权利要求2所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述介质层的材质为钛。

4.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述介质层的材质为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述介质层的厚度范围为200埃至1000埃。

6.根据权利要求5所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述介质层的厚度为300埃。

7.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述中央区域的中心厚度范围为1000埃至10000埃。

8.根据权利要求7所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述中央区域的中心厚度为1400埃。

9.根据权利要求8所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述边缘区域的厚度范围为300埃至2000埃。

10.根据权利要求1至9任一项所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述边缘区域的厚度为900埃。

11.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述多晶硅栅极层的掺杂浓度范围为1*10¹⁵cm^-3至1*10¹⁹cm^-3。

12.根据权利要求1所述的抗辐射功率场效应晶体管，其特征在于，所述氧化层的掺杂浓度范围为1*10¹⁵cm^-3至1*10¹⁸cm^-3。

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