[实用新型]一种单体电压采集模块的故障信号传输电路有效
申请号: | 201820449701.7 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN207992309U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 丁更新;邬学建;吴旭峰;潘福中;杨贵永;王鹏;刘刚;陈霄;张冬冬;何青林;吴朴恩;张珂;李丽丽 | 申请(专利权)人: | 宁波吉利汽车研究开发有限公司;浙江吉利控股集团有限公司 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 315000 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单体电压 采集芯片 故障信号 传输电路 故障信号采集 本实用新型 采集模块 反馈电路 故障信息 传输 电路 电子电器领域 采集回路 故障状态 通讯回路 级联 硬线 反馈 安全 | ||
本实用新型涉及电子电器领域,提出了一种单体电压采集模块的故障信号传输电路。所述故障信号传输电路包括故障信号采集电路和故障信号反馈电路,所述故障信号采集电路通过级联的方式连接每个单体电压采集芯片,将故障信息一级一级地向下传输,直到最后一级单体电压采集芯片。最终通过设置在最后一级单体电压采集芯片上的故障信号反馈电路反馈到MCU之中。本实用新型将单体电压采集芯片所能识别到的故障状态通过硬线的方式传输到MCU处理,结合单体电压采集芯片之间的通讯回路传输的信息,可以很好的识别到整个单体电压采集回路的故障信息,提高了整个系统的安全性,提高安全等级性能。
技术领域
本实用新型涉及电子电器领域,尤其涉及一种单体电压采集模块的故障信号传输电路。
背景技术
新能源技术现在是当前汽车技术领域的重点研究方向,其中电动汽车因为对环境影响相对传统汽车较小,其前景被广泛看好。对于电动汽车而言,为其提供动力的动力电池包是提高电动汽车性能的关键。为了保证动力电池包能够安全运作,在动力电池包中会设置电池管理系统。在动力电池发生故障时,电池管理系统会获得故障信息,及时提醒用户,避免车辆发生安全事故。
现有技术的电池管理方案中,所有的单体电压采集芯片采集到的信息都是通过通讯线的方式,经过隔离芯片传递到位于主控模块的主单片上,而这种故障信息上报到主处理器的唯一通道就是通讯,通讯回路的可靠性不高。如果通讯回路出现不稳定或工作异常,而主处理器未能识别到这种状况之后,就会影响到故障信息的上报。而不能够及时传输故障信息,则可能会造成整个电池管理系统的工作处于比较危险的状况之下,最终可能会导致安全事故的发生。
因此,对于单体电压采集芯片内部如果识别到了相应的故障信息,例如存在单体电压的过高、温度过高、单体电压采集线断线等、均衡失效或者误均衡等故障,电池管理系统仅仅是通过通讯方案的方式报告故障,这种方式往往就存在着可靠性不太高的情况,是不能很好的满足功能安全的要求的。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是单体电压采集模块内故障信号仅通过通讯线的方式传输可靠性低的问题。为了解决所述问题,本实用新型提出了一种单体电压采集模块的故障信号传输电路。本实用新型具体是以如下技术方案实现的:
本实用新型提出了一种单体电压采集模块的故障信号传输电路,所述故障信号传输电路包括多个顺次连接的单体电压采集芯片、多个故障信号采集电路、故障信号反馈电路和MCU(微控制单元),所述单体电压采集芯片具有故障状态输出口和数字/模拟输入/输出口。
所述故障信号采集电路设置在每两个相邻的单体电压采集芯片之间,故障信号采集电路的数目比顺次连接的单体电压采集芯片少一个。所述故障信号采集电路连接本级单体电压采集芯片的故障状态输出口和下一级单体电压采集芯片的数字/模拟输入/输出口。
所述故障信号反馈电路连接在最后一集单体电压采集芯片和MCU(微控制单元)之间。具体地,所述故障信号反馈电路连接最后一级单体电压采集芯片的故障状态输出口和MCU(微控制单元)。
具体地,所述故障信号采集电路故障传输电路从第一单体电压采集芯片的故障状态输出口位引出一条故障信号采集线连接到芯片供地端,所述故障信号采集线上设有第一光耦隔离器,故障状态输出口通过故障信号采集线传输故障标志电平到第一光耦隔离器。所述第一光耦隔离器还连接第一单体电压采集芯片的供电端口和第二单体电压采集芯片的第一位数字/模拟输入/输出口,故障信号通过光耦隔离器传输到第二单体电压采集芯片的第一位数字/模拟输入/输出口。通过级联的方式,在单体电压采集芯片间将故障标志电平一级一级地往下传,直到传输到最后一个单体电压采集芯片中,传输到最后一个单体电压采集芯片后,连接一个光耦隔离器,输出到MCU(微控制单元)中。
进一步地,所述故障信号采集电路具有光耦隔离器和分压电阻,所述光耦隔离器包括发光二极管和光敏三极管。
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