[实用新型]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201820457553.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN207967002U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王修中;刘广海 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体区 发射区 金属层 本实用新型 漂移区 源区 半导体技术领域 空穴电流 体区接触 最大电流 闩锁效应 硅结构 三层 少子 | ||
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：发射区金属层、P型集电区、N-漂移区以及P+型体区；
所述P型集电区、N-漂移区以及所述P+型体区形成PNP三层硅结构；所述发射区金属层与所述P+型体区接触连接；其中，少子空穴电流直接通过所述P+型体区流入所述发射区金属层。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：N型终止场层；
所述N型终止场层位于所述N-漂移区以及所述P型集电区之间。
3.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：与所述P型集电区接触连接的金属集电层。
4.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：栅区；
所述PNP硅结构形成有沟槽，所述栅区位于所述沟槽以及所述发射区金属层之间。
5.根据权利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅区包括：
形成在所述沟槽表面的栅氧化层，
形成在所述栅氧化层上的多晶硅栅，以及形成在所述多晶硅栅与所述发射区金属层之间的栅源隔离层。
6.根据权利要求5所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅源隔离层的材料为硼磷硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为一层金属。
8.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层包括堆叠连接的多层金属。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为合金。
10.根据权利要求9所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射区金属层为以下任意两者或者三者的合金：钛、镍、铂金、铝、硅以及铜。
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