[实用新型]S波段平衡式限幅低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201820457605.7 申请日: 2018-04-03
公开(公告)号: CN208190607U 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 奉庆 申请(专利权)人: 航天恒星科技有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/68
代理公司: 北京善任知识产权代理有限公司 11650 代理人: 金杨;王大方
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 放大器 匹配 匹配电路 低噪声放大器 限幅二极管 平衡式 微带线 基板 限幅 放大 本实用新型 放大器芯片 平衡式电路 封装壳体 金属墙体 两级放大 气密性好 输入电桥 陶瓷底座 陶瓷基片 噪声系数 集成度 低噪声 第一级 高增益 宽频带 体积小 频段 电桥 封焊 两级 平行 预留 电路 调试 输出
【权利要求书】:

1.一种S波段平衡式限幅低噪声放大器,采用平衡式电路结构,包括输入电桥、输出电桥、限幅二极管、放大器匹配电路,其特征在于,

所述输入电桥和所述输出电桥均为Lange电桥,设置有所述Lange电桥电路的基板和设置有所述放大器匹配电路的基板分别由陶瓷基片构成;

所述限幅二极管由两级限幅二极管组成;

所述放大器匹配电路采用较宽频带未匹配的低噪声PHEMT放大器芯片,按照所需频段通过微带线进行匹配,所述放大器匹配电路采用两级放大结构,第一级放大按最优噪声系数匹配,第二级放大按最优增益进行匹配,且在所述微带线周围预留多个调试块;

所述放大器的封装壳体采用陶瓷底座与金属墙体通过平行封焊而成。

2.根据权利要求1所述的S波段平衡式限幅低噪声放大器,其特征在于,所述陶瓷基片为Al2O3陶瓷基片,设置于所述陶瓷基片上的器件与所述陶瓷基片通过导电胶粘接,所述器件通过金丝键合进行电气连接,所述器件中的输入负载电阻为功率电阻,所述器件中的所述功率电阻以外的器件均为裸片。

3.根据权利要求1所述的S波段平衡式限幅低噪声放大器,其特征在于,所述两级限幅二极管中的第一级限幅通过并联一只二极管芯CLA4604实现,第二级限幅通过并联两只二极管芯CLA4601对管实现。

4.根据权利要求1所述的S波段平衡式限幅低噪声放大器,其特征在于,设置有所述Lange电桥电路的陶瓷基片厚度为0.631mm;设置有所述放大器匹配电路的陶瓷基片厚度为0.381mm。

5.根据权利要求1所述的S波段平衡式限幅低噪声放大器,其特征在于,所述Lange电桥的负载端连接有电阻,所述电阻的一端焊盘键合金丝与Lange电桥相连,所述电阻的另一端焊盘键合金丝与腔体相连而接地。

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