[实用新型]一种掩膜版有效
| 申请号： | 201820462852.6 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN207924370U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 耿越;蔡佩芝;庞凤春;古乐;车春城 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/58 | 分类号： | G03F1/58;G02F1/17 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 极性粒子 驱动电极 第一基板 第二基板 掩膜 移动 本实用新型 接收电信号 光刻工艺 相对设置 掩膜图案 预设图案 遮光图案 阵列分布 阵列排布 制作工艺 可变 透光 吸光 灵活 申请 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：相对设置的第一基板、第二基板、以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的极性粒子，所述极性粒子具有吸光或透光作用；
所述第一基板包括朝向所述第二基板设置的呈阵列排布的多个驱动电极，所述驱动电极用于接收电信号，并控制所述极性粒子移动到指定的驱动电极上，形成预设图案。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基板还包括设置在所述驱动电极背离所述第二基板一侧的第一基底，设置在所述驱动电极朝向所述第二基板一侧的第一介电层和第一疏水层，其中所述第一疏水层靠近所述第二基板一侧设置；
所述第二基板包括依次层叠设置的第二基底、参比电极层、第二介电层和第二疏水层，其中所述第二疏水层靠近所述第一基板一侧设置。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二基板上开设有用于所述极性粒子注入与吸出的通孔。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板通过封框胶进行密封，所述封框胶的厚度为0.1mm-1mm。
5.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述极性粒子为具有吸光作用的液滴，所述液滴内具有吸光物质，所述吸光物质的材料包括水杨酸酯类物质、苯酮类物质、苯并三唑类物质中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板均为透明基板。
7.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层的材料均包括氮化硅、氧化硅、派瑞林、SU-8中的至少一种；
所述第一疏水层与所述第二疏水层的材料均包括特氟龙和Cytop中的至少一种。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
