[实用新型]均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置有效
申请号: | 201820465489.3 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN207993821U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 倪党生 | 申请(专利权)人: | 上海思恩装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 王叶娟;胡晶 |
地址: | 201611 上海市松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载体 圆柱体连接 集成电路芯片 湿处理装置 刻蚀基片 本实用新型 上下运动 相对振动 振动装置 抖动 转动传动机构 可转动连接 抖动机构 基片刻蚀 装置转动 均匀性 上端 挂载 | ||
1.一种均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,包括:振动装置、承载体、转动传动机构、抖动机构及圆柱体连接结构;
承载体通过所述圆柱体连接结构挂载在振动装置上;所述圆柱体连接结构包括设置于所述振动装置的下端的第一圆柱体、设置于所述承载体的上端的第二圆柱体,所述第二圆柱体可转动连接在所述第一圆柱体上且所述第二圆柱体可相对所述第一圆柱体上下运动;
所述转动传动机构连接所述承载体,以带动所述承载体通过所述圆柱体连接结构而相对所述振动装置转动;所述抖动机构连接所述承载体,以带动所述承载体通过所述圆柱体连接结构而相对所述振动装置上下抖动,且所述承载体的上下抖动的范围小于等于所述第二圆柱体可相对所述第一圆柱体上下运动的范围。
2.如权利要求1所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述第一圆柱体为具有中空空间的外圆柱体,所述第二圆柱体为外径与所述第一圆柱体的内径匹配的内圆柱体;
所述第一圆柱体具有上挡部和下挡部;所述第二圆柱体设置于所述第一圆柱体的中空空间中,且可相对上下运动并由所述上挡部和下挡部限制上下运动的范围;所述承载体穿过所述下挡部而与所述第二圆柱体连接。
3.如权利要求1所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述转动传动机构和所述承载体均连接在所述抖动机构上,在所述抖动机构的作用下一同抖动。
4.如权利要求3所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述抖动机构包括:凸轮机构、支撑台、导向结构及伺服电机;
所述转动传动机构和所述承载体均连接在所述支撑台上;所述凸轮机构连接所述支撑台;所述伺服电机控制所述凸轮机构运动,使得所述凸轮机构带动所述支撑台上下抖动。
5.如权利要求4所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述导向结构为穿设于所述支撑台中的至少两根导向柱。
6.如权利要求4所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述转动传动机构通过一抬升座连接在所述支撑台上,所述抬升座的高度使得所述转动传动机构与所述承载体转动连接的部位位于所述圆柱体连接结构的下方一定距离范围内。
7.如权利要求4所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述抖动机构在由伺服电机控制凸轮机构而产生的渐强脉冲的控制下发生抖动。
8.如权利要求1所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,还包括升降机构,
所述振动装置、转动传动机构、抖动机构均连接在所述升降机构上,在所述升降机构的控制下一同发生升降。
9.如权利要求1所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,所述承载体的下端设置有若干挂钩,以分别用于挂载可容置若干基片的基片盒。
10.如权利要求9所述的均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置,其特征在于,至少所述振动装置对承载体的振动、所述抖动机构对承载体的抖动分时进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造