[实用新型]一种超小型低噪声混频器有效
| 申请号： | 201820469487.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN207939477U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 唐陈 | 申请（专利权）人： | 成都安普利电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混频电路 低噪声混频器 限幅电路 超小型 中频滤波电路 本实用新型 低噪声放大电路 低噪声放大器 接收射频信号 混频器增益 平衡式结构 本振信号 镜像频率 射频信号 依次连接 中频滤波 中频信号 本振端 射频端 输出端 限幅器 合路 混频 杂波 噪声 过滤 输出 | ||
1.一种超小型低噪声混频器，其特征在于，包括依次连接的限幅电路、低噪声放大器、混频电路和中频滤波电路；
所述限幅电路的射频端接收射频信号，混频电路的本振端接收本振信号，中频滤波电路的输出端输出中频信号；
所述限幅电路和低噪声放大电路均采用平衡式结构；
所述混频电路为I/Q混频电路。
2.根据权利要求1所述的低噪声混频器，其特征在于，所述限幅电路包括两个3dB耦合器、两个电阻和两个二极管；
所述3dB耦合器包括第一3dB耦合器A1和第二3dB耦合器A2；
所述第一3dB耦合器A1的输入端口接收射频信号，其隔离端口连接一个接地电阻R1，其直通端口与第二3dB耦合器A2的输入端口连接，其耦合端口与第二3dB耦合器A2隔离端口连接；
所述第一3dB耦合器A1的直通端口与第二3dB耦合器A2的输入端口之间连接二极管D1的正极，二极管D1的负极接地；
所述第一3dB耦合器A1的耦合端口和第二3dB耦合器A2的隔离端口之间连接二极管D2的正极，二极管D2的负极接地；
所述第二3dB耦合器A2的直通端口连接有一个接地电阻R2，所述第二3dB耦合器A2的耦合端口与低噪声放大器电路连接。
3.根据权利要求1所述的低噪声混频器，其特征在于，所述低噪声放大电路包括顺次连接的输入匹配单元、晶体管单元和输出匹配单元；
所述输入匹配单元的输入端作为低噪声放大电路的输入端，所述输出匹配单元的输出端作为低噪声放大电路的输出端；
所述输入匹配单元和输出匹配单元均采用T型或π型匹配电路。
4.根据权利要求1所述的超小型低噪声混频器，其特征在于，所述混频电路为环形混频器电路。
5.根据权利要求1所述的超小型低噪声混频器，其特征在于，所述中频滤波电路为LC低通滤波电路；
所述LC低通滤波电路的输入端连接混频电路的输出端，输出端输出过滤后的中频信号。
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