[实用新型]SMBF二极管封装结构及电子设备

说明书

本实用新型提供了SMBF二极管封装结构及电子设备，涉及电子配件技术领域，包括：封装壳体，封装壳体的外部两侧分别水平延伸出第一框架的尾端和第二框架的尾端，第一框架和第二框架的其余部分封装于封装壳体的内部，第一框架和第二框架相对平行且上下设置，在第一框架和第二框架的平行空隙之间压设有芯片结构，且第一框架与芯片结构之间通过焊料片相连。本实用新型可以提高二极管封装结构的散热性、可靠性，改善焊接定位。

技术领域

本实用新型涉及电子配件技术领域，尤其是涉及SMBF二极管封装结构及电子设备。

背景技术

随着技术的发展，越来越多的电子设备朝着小型化、集成化方向发展。电子封装技术是一个非常重要的关键环节，它不仅关系到电路性能可靠性和稳定性，而且对电路的电性能和热性能，以及整机的小型化和集成化，均有重要的作用。

其中，二极管封装结构的形式是将器件集成在一个封装体内，但实际应用中发现，现有的封装结构由于引线框架被完全封闭在体内，因此散热面积小，风冷散热效果较差，影响了功率器件工作的可靠性；而且，在焊接中存在漂移、偏位等弊端。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供SMBF二极管封装结构及电子设备，以提高了二极管封装结构的散热性、可靠性，改善了焊接定位。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种SMBF二极管封装结构，其中，包括：封装壳体，所述封装壳体的外部两侧分别水平延伸出第一框架的尾端和第二框架的尾端，所述第一框架和所述第二框架的其余部分封装于所述封装壳体的内部，所述第一框架和所述第二框架相对平行且上下设置，在所述第一框架和所述第二框架的平行空隙之间压设有芯片结构，且所述第一框架与所述芯片结构之间通过焊料片相连。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述第一框架包括第一折片、第二折片和第三折片；

所述第一折片水平连接于所述焊料片的上方，所述第二折片由所述第一折片的尾端向下倾斜弯折延伸形成，所述第三折片由所述第二折片的尾端沿水平方向弯折延伸形成，且所述第三折片的尾端延伸至所述封装壳体的外部。

结合第一方面的第一种可能的实施方式，本实用新型实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述第一折片的中心处还设置有圆台槽，所述圆台槽的深度小于所述第一折片的厚度，且所述圆台槽的口部与所述第一折片的上表面处于同一平面。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述第二框架包括第四折片、第五折片和第六折片；

所述第四折片水平连接于所述芯片结构的下方，所述第五折片由所述第四折片的尾端向下倾斜弯折延伸形成，所述第六折片由所述第五折片的尾端沿水平方向弯折延伸形成，且所述第六折片的尾端延伸至所述封装壳体的外部。

结合第一方面的第二种可能的实施方式，本实用新型实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，所述焊料片为圆台结构，且所述焊料片的口部大于所述圆台槽的口部，所述焊料片的底部大于所述圆台槽的底部。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，所述焊料片、所述芯片结构和所述圆台槽的中心重合。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，所述芯片结构包括二极管芯片，所述二极管芯片的上方和下方分别焊接有焊片。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，所述第一框架的宽度小于所述第二框架的宽度。

结合第一方面，本实用新型实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，所述封装壳体的材料为环氧树脂。