[实用新型]一种带沟槽的终端结构有效
| 申请号： | 201820487063.8 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN207967001U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 导电类型阱 第一导电类型 导电多晶硅 集电极金属 终端结构 场限环 减小 终端 半导体器件 外延层表面 导电类型 沟槽结构 互相平行 耐压能力 器件制作 集电极 外延层 栅氧层 中心区 电势 浮空 主结 包围 制造 保证 | ||
1.一种带沟槽的终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属（1）及位于所述集电极金属（1）上方的第一导电类型外延层（4），在所述第一导电类型外延层（4）表面设有一个第二导电类型阱区（6）及包围所述第二导电类型阱区（6）的若干个第二导电类型场限环（5），其特征在于，在所述第二导电类型阱区（6）内设置若干个互相平行的沟槽（7），在所述沟槽（7）内设有位于中心区浮空的导电多晶硅（8）及包裹所述导电多晶硅（8）的栅氧层（9）。
2.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，在所述第一导电类型外延层（4）上设有场氧层（13），在所述场氧层（13）上设有若干个场板（12），其中一个场板（12）可通过通孔与所述第二导电类型阱区（6）电连接，也可设置为浮空状态，剩余场板（12）可通过通孔与所述第二导电类型场限环（5）电连接，也可设置为浮空状态。
3.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，所述第二导电类型阱区（6）及第二导电类型场限环（5）均从所述第一导电类型外延层（4）表面延伸到其内部，且所述第二导电类型阱区（6）横跨器件的有源区（001）和终端区（002）。
4.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，在终端区（002）靠近有源区（001）的一侧设置有发射极金属（11），所述发射极金属（11）通过场氧层（13）内的通孔与所述第二导电类型阱区（6）电连接。
5.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，在所述终端区（002）表面覆盖有钝化层（14）。
6.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，所述第二导电类型场限环（5）可以不设置，所述场板（12）也可以不设置。
7.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，所述沟槽（7）的深度可大于第二导电类型阱区（6）的深度。
8.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括N型功率半导体器件的终端结构和P型功率半导体器件的终端结构，对于N型功率半导体器件的终端结构，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，对于P型半导体器件的终端结构，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
9.根据权利要求1所述的一种带沟槽的终端结构，其特征在于，所述带沟槽的终端结构的器件包括IGBT器件和MOSFET器件。
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