[实用新型]一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件

权利要求书

1.一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，包括用于引出漏区的第一导电类型硅衬底（1）及位于所述第一导电型类型硅衬底（1）上的第一导电类型硅外延层（2），在所述第一导电类型硅外延层（2）内设有沟槽（13），在所述沟槽（13）内设有场氧层（3）、被所述场氧层（3）包裹的屏蔽栅（4）、位于屏蔽栅（4）顶端两侧的由多晶硅形成的栅极（5）及包裹在所述栅极（5）周围的栅氧层（6），所述栅极（5）位于场氧层（3）的顶部，相邻的沟槽（13）间的第一导电类型硅外延层（2）表面设有第二导电类型体区（8）及位于所述第二导电类型体区（8）表面的第一导电类型源区（9），在沟槽（13）与第一导电类型源区（9）上设有绝缘介质层（11），在所述绝缘介质层（11）上设有源极金属（12），其特征在于，在相邻沟槽（13）间的平台区，所述源极金属（12）通过两个通孔（7）与第二导电类型体区（8）接触，且每个通孔（7）下方均设有第二导电类型源区（10）。

2.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，所述通孔（7）依次穿过绝缘介质层（11）、第一导电类型源区（9）插入第二导电类型体区（8）内。

3.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，所述沟槽（13）侧壁与距离最近的通孔（7）的间距均相同。

4.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，所述屏蔽栅（4）接源极电位或所述源极金属（12）通过通孔与屏蔽栅（4）电连接。

5.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，所述第二导电类型源区（10）位于第二导电类型体区（8）内。

6.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，对于N型深沟槽功率器，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，对于P型深沟槽功率器，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.根据权利要求1所述的一种高雪崩耐量的深沟槽功率器件，其特征在于，所述深沟槽功率器包括IGBT器件和MOSFET器件。