[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820488354.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN208478343U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 全祐哲;刘春利 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高文静 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 本实用新型 漏极焊盘 触点 漏极指状物 源极焊盘 第一层 源极指 状物 技术效果 栅极环 改进 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；
至少一个漏极焊盘；
多个源极焊盘；
栅极总线，与所述多个单元耦接；以及
耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；
其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；
其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；并且
其中漏极焊盘、所述多个源极焊盘以及栅极焊盘中的一个位于漏极指状物、源极指状物、和栅极中的一个之上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中栅极总线位于所述多个源极焊盘之下。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；
至少一个漏极焊盘；
多个源极焊盘；
栅极总线，与所述多个单元耦接；以及
耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；
其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；
其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；
其中所述多个源极焊盘在封装期间电耦接在一起；并且
其中所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中栅极总线位于所述多个源极焊盘之下。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
多个单元，每个单元包括至少一个漏极指状物、至少一个源极指状物、和至少一个栅极；
至少一个漏极焊盘；
多个源极焊盘；
栅极总线，与所述多个单元耦接；以及
耦接到栅极总线的至少一个栅极焊盘；
其中所述漏极焊盘耦接到所述多个单元的每个单元的所述至少一个漏极指状物；
其中所述多个源极焊盘的每个耦接到所述多个单元的每个单元的至少一个源极指状物；并且
其中所述多个源极焊盘通过引线接合、凸块及钉头中的一个而彼此耦接。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个单元是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述多个单元包括具有第一长度的第一组和具有第二长度的第二组，所述第二长度长于所述第一组的所述第一长度。
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