[实用新型]一种超材料吸收器

权利要求书

1.一种超材料吸收器，其特征在于，有底至上依次为衬底层(1)、第一金属层(2)、电介质层(3)和第二金属结构(4)，所述衬底层(1)、第一金属层(2)和电介质层(3)的上表面为正方形，所述第二金属结构(4)为棱柱结构，所述第二金属结构(4)的侧面与所述衬底层(1)相邻的侧面平行，所述第二金属结构(4)的上表面设置有与所述第二金属结构(4)侧面内接的正方形沉孔(5)。

2.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述衬底层(1)、第一金属层(2)、电介质层(3)具有相同的截面，且所述衬底层(1)的边长大于所述第二金属结构(4)的外侧边边长。

3.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述第二金属结构(4)上的正方形沉孔(5)的对角线与所述第二金属结构(4)的对角线之间的夹角为45度。

4.根据权利要求3所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述正方形沉孔(5)的对角线长度与所述第二金属结构(4)的边长相等。

5.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述衬底层(1)为二氧化硅层、纯硅层或砷化镓层。

6.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述第一金属层(2)为镀覆在所述衬底层(1)的上表面的金质薄膜层，所述第一金属层(2)的厚度为150nm。

7.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述电介质层(3)为所述衬底层(1)的上表面覆盖的锗层。

8.根据权利要求7所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述电介质层(3)的厚度为120nm。

9.根据权利要求1所述的一种超材料吸收器，其特征在于，所述第二金属结构(4)的厚度为50nm。