[实用新型]一种封装结构、显示器件及显示装置有效
申请号: | 201820497109.4 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN208045504U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吸水层 封装结构 显示器件 封装层 显示装置 基板 本实用新型 发光元件 水氧 封装器件 时间保持 完全包覆 有效减少 包覆 封装 外部 | ||
本实用新型提供了一种封装结构、显示器件及显示装置,所述封装结构包括:基板;设于所述基板之上的发光元件;将所述发光元件封装于所述基板之上的封装层;及,吸水层,所述吸水层设于所述封装层内,并被所述封装层完全包覆。本实用新型提供的封装结构、显示器件及显示装置,能够有效减少水氧对封装器件的不良影响。该吸水层被所述封装层包覆在内,可避免显示器件外部的水氧直接进入吸水层,可长时间保持吸水层的功能。
技术领域
本实用新型涉及封装技术领域,尤其涉及一种封装结构、显示器件及显示装置。
背景技术
随者显示技术的发展,笔记本电脑、移动电话、电视机、显示器等显示装置在市场上快速增长。OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)、QLED(Quantum DotLight Emitting Diodes,量子点发光二极管)作为新兴的显示器件受到越来越多的关注。OLED封装器件中的发光元件主要包括阳极、阴极及有机发光层,有机发光层在电场的作用下,空穴从阳极注入有机发光层,电子从阴极注入有机发光层,两者在有机发光层相遇,形成激子,激子向低能级跃迁发光;QLED封装器件中的发光元件主要包括量子点(QuantumDots,又称半导体纳米晶体),量子点受到光或电的刺激,能发出有色光线,光线的颜色由量子点的组成和大小形状决定。
现有技术中OLED显示器件及QLED显示器件所存在的问题是:由于OLED显示器件中的发光层为有机材料,QLED显示器件中的发光层为无机纳米材料,遇到水氧容易使显示器件的性质劣化,影响显示质量,需要进一步提高OLED器件及QLED器件防水氧渗透的能力。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种封装结构、显示器件及显示装置,能够有效减少水氧对封装器件的不良影响。
本实用新型所提供的技术方案如下:
第一方面,本实用新型实施例提供一种封装结构,包括:
基板;
设于所述基板之上的发光元件;
将所述发光元件封装于所述基板之上的封装层;
及,吸水层,所述吸水层设于所述封装层内,并被所述封装层完全包覆。
可选的,所述封装层包括:覆盖于所述发光元件外的无机薄膜;及,覆盖于所述无机薄膜外的封装胶层;所述封装层还包括封装盖板,所述封装胶层粘接于所述封装盖板与所述基板之间;所述吸水层设于所述封装盖板的面向所述基板的一侧表面上,并被所述封装盖板和所述封装胶层完全包覆。
可选的,所述封装层包括:覆盖于所述发光元件外的多层复合封装薄膜,所述多层复合封装薄膜包括至少一层有机薄膜和至少两层无机薄膜,所述有机薄膜和所述无机薄膜交替层叠设置;及,覆盖于所述多层复合封装薄膜外的封装胶层;所述封装层还包括封装盖板,所述封装胶层粘接于所述封装盖板与所述基板之间;所述吸水层设于所述封装盖板的面向所述基板的一侧表面上,并被所述封装盖板和所述封装胶层完全包覆。
可选的,所述封装层包括:覆盖于所述发光元件外的多层复合封装薄膜,所述多层复合封装薄膜包括至少一层有机薄膜和至少两层无机薄膜,所述有机薄膜和所述无机薄膜交替层叠设置;及,覆盖于所述多层复合封装薄膜外的封装胶层;所述封装层还包括封装盖板,所述封装胶层粘接于所述封装盖板与所述基板之间;所述吸水层设于所述有机薄膜和所述无机薄膜之间,并被所述有机薄膜和所述无机薄膜完全包覆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820497109.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:OLED显示面板
- 下一篇:低漏电流深沟槽功率MOS器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的