[实用新型]一种带半绝缘缓冲层的GaAs基高电子迁移率晶体管材料结构有效
| 申请号： | 201820500080.0 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN209071336U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 冯巍 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/201 | 分类号： | H01L29/201;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料结构 半绝缘 缓冲层 高电子迁移率晶体管 空间隔离层 掺杂层 势垒层 阻断层 帽层 超晶格缓冲层 电学隔离性能 外延生长过程 半绝缘材料 低温生长 电路设计 防护能力 静电损伤 器件制造 沟道层 上平面 下平面 重掺杂 衬底 生长 便利 | ||
【权利要求书】：
1.一种带半绝缘缓冲层的GaAs基高电子迁移率晶体管材料结构，其特征在于：该结构包括半绝缘GaAs衬底(1)、低温LT-GaAs缓冲层(2)、低温LT-GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层(3)、下AlGaAs势垒层(4)、下平面掺杂层(5)、下AlGaAs空间隔离层(6)、InGaAs沟道层(7)、上AlGaAs空间隔离层(8)、上平面掺杂层(9)、上AlGaAs势垒层(10)、第二AlAs阻断层(11)、GaAs次帽层(12)、第一AlAs阻断层(13)和重掺杂GaAs帽层(14)；
在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长低温LT-GaAs缓冲层(2)、低温LT-GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层(3)、下AlGaAs势垒层(4)、下平面掺杂层(5)、下AlGaAs空间隔离层(6)、InGaAs沟道层(7)、上AlGaAs空间隔离层(8)、上平面掺杂层(9)、上AlGaAs势垒层(10)、第二AlAs阻断层(11)、GaAs次帽层(12)、第一AlAs阻断层(13)、重掺杂GaAs帽层(14)。
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