[实用新型]包括侧壁肖特基界面的设备

说明书

本实用新型涉及包括侧壁肖特基界面的设备。在一个一般性方面，设备可包括设置在半导体区域中的第一沟槽、设置在所述半导体区域中的第二沟槽、以及设置在所述半导体区域中的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的凹槽。所述凹槽具有侧壁和底表面。所述设备还包括沿着所述凹槽的侧壁的肖特基界面，并且所述凹槽的所述底表面排除肖特基界面。

技术领域

本说明书涉及包括侧壁肖特基界面的设备。

背景技术

已知的肖特基设备易受多种制造缺陷的影响。另外，已知的肖特基设备可具有不合乎需要的性能特性。因此，需要系统、方法和装置来解决现有技术的不足并提供其它新颖且创新的特征。

实用新型内容

在一个一般性方面，包括侧壁肖特基界面的设备可包括设置在半导体区域中的第一沟槽、设置在半导体区域中的第二沟槽、以及设置在半导体区域中的第一沟槽与第二沟槽之间的凹槽。该凹槽具有侧壁和底表面。该设备还包括沿着凹槽的侧壁的肖特基界面，并且凹槽的底表面排除肖特基界面。

在另一个一般性方面，包括侧壁肖特基界面的设备包括设置在具有第一导电类型的半导体区域中的第一沟槽，设置在半导体区域中的第二沟槽，和设置在所述半导体区域中的所述第一沟槽与所述第二沟槽之间并且具有侧壁和底表面的凹槽。沿着侧壁的第一区域具有第一导电类型并且具有小于半导体区域的掺杂物浓度的掺杂物浓度。沿着底表面的第二区域具有第二导电类型。金属与第一区域和所述第二区域接触。

附图说明

图1是示意图，其示出了包括侧壁肖特基界面的肖特基设备的侧剖视图。

图2示出了包括有源侧面和肖特基侧面的设备的平面图。

图3是示意图，其示出了作为图2所示的设备的示例的设备的一部分的平面图。

图4是示意图，其示出了图1所示的设备的变型的侧剖视图。

图5A和图5B示出了生产例如图1所示的设备的方法的一部分。

图6是示意图，其示出了生产肖特基设备的方法。

图7至图9是曲线图，其示出了基于多种工艺的肖特基设备的泄漏与正向电压降之间的关系。

图10是曲线图，其示出了表面肖特基设备和侧壁肖特基设备的泄漏与正向电压降之间的关系。

具体实施方式

图1是示意图，其示出了肖特基设备100的侧剖视图，该肖特基设备包括设置在一对沟槽(包括沟槽110A和沟槽110B)之间的沿着侧壁128的肖特基界面122A以及沿着侧壁129的肖特基界面122B。因此，肖特基界面122A,122B沿着设置在沟槽110A,110B之间的凹槽120的侧壁128,129对准。沟槽110A,110B和凹槽120设置在肖特基设备100的半导体区域101中。在一些实施方式中，侧壁128,129可被称为侧壁表面。

在一些实施方式中，图1所示的肖特基设备100可被称为肖特基单元或肖特基二极管。在一些实施方式中，肖特基界面122A,122B可被称为侧壁肖特基界面或台面肖特基界面。在一些实施方式中，肖特基界面122A,122B可被称为肖特基触点。

如图1所示，肖特基界面122A,122B由掺杂区域124A,124B和金属层140共同形成。掺杂区域124A,124B掺杂有一定掺杂物浓度，从而形成具有金属层140的肖特基界面122A,122B。肖特基界面122A,122B可分别沿着凹槽120的侧壁128,129。