[实用新型]一种氮化物薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，包括衬底、非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层、p型掺杂层；在所述衬底上从下向上依次设置所述非掺杂层、布拉格反射镜、n型掺杂层、非掺杂多量子阱层和p型掺杂层，所述n型掺杂层的边缘区域为台面，在台面上设置有n型欧姆电极，在所述p型掺杂层上设置有p型欧姆电极。

2.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜包括高折射率氮化物层和低折射率氮化物层交替设置的周期性结构。

3.根据权利要求2所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜中，高折射率氮化物层的厚度为1～500nm，所述低折射率氮化物层的厚度为1～500nm。

4.根据权利要求2所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述布拉格反射镜包括3～100对高折射率氮化物层和低折射率氮化物层交替设置的周期性结构。

5.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述非掺杂层还包括成核层，成核层为氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓中的一种或多种形成的堆叠结构。

6.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述非掺杂层为氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓中的一种或多种形成的堆叠结构。

7.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂层和p型掺杂层互相独立地选自氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟镓中的一种；所述n型掺杂层中掺杂有Si、Sn、S、Se或Te中的一种；所述p型掺杂层中掺杂有Be、Mg、Zn、Cd或C中的一种。

8.根据权利要求1所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述非掺杂多量子阱层包括1～300对交替设置的量子阱层和量子垒层周期性结构。

9.根据权利要求1～8任一项所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，在所述p型掺杂层和P型欧姆电极上覆盖有抗反射层。

10.根据权利要求9所述的氮化物薄膜太阳能电池，其特征在于，所述抗反射层包括1～30组交替的SiO₂和Ta₂O₅薄膜。