[实用新型]一种集成电路封装结构有效
申请号: | 201820507787.4 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN208045487U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 施保球 | 申请(专利权)人: | 气派科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/28 |
代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人: | 徐翀 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区平湖*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基岛 集成电路封装结构 银环 本实用新型 封装材料 芯片 封装结构 水汽 隔离区 结合力 安置 外沿 围合 侵入 源头 | ||
1.一种集成电路封装结构,包括基岛、芯片和封装材料,其特征在于,
所述基岛的正面形成有银环,所述银环内沿围合形成用于安置所述芯片的安置区,所述银环的外沿与所述基岛边沿之间形成隔离区。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述隔离区的宽度不小于10微米。
3.根据权利要求2所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述隔离区的宽度介于10微米至200微米之间。
4.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述银环的宽度不小于100微米。
5.根据权利要求4所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述银环的宽度不大于300微米。
6.根据权利要求1所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述安置区、所述隔离区的表面、引线框的其他区域以及银环的底部具有电化学方法形成的镀铜层。
7.根据权利要求6所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述镀铜层的厚度介于0.125至0.25微米之间。
8.根据权利要求7所述的集成电路封装结构,其特征在于,
所述镀铜层已经过防铜剥离化学液处理。
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