[实用新型]一种半导体硅环蚀刻装置有效
申请号: | 201820515212.7 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN207993824U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 张现军;游娜;覃庆良;王明甲;秦浩华 | 申请(专利权)人: | 青岛科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 西安汇恩知识产权代理事务所(普通合伙) 61244 | 代理人: | 邢立立 |
地址: | 266061 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体硅 套管 螺丝孔 横杆 螺杆 本实用新型 蚀刻装置 筒体内部 防腐蚀 海绵层 硅环 筒体 转轴 电机 电机固定 金属粉尘 螺杆螺纹 螺纹连接 上下端面 压紧装置 蚀刻液 顶面 上套 碎屑 下端 相抵 垂直 延伸 | ||
本实用新型公开了一种半导体硅环蚀刻装置,包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置,所述电机固定安装于筒体的底面上,电机的转轴延伸至筒体内部,转轴的顶部设有一螺丝孔,筒体内部垂直设有一螺杆,螺杆下端插入所述的螺丝孔中,并与螺丝孔螺纹连接,螺杆上套有一个以上的套管,套管均与螺杆螺纹连接,套管两侧均固定安装一横杆,横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层,一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间,半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。本实用新型结构简单,能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑,同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触,增加了产品质量。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体硅环蚀刻装置。
背景技术
半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质,保证其洁净纯度,现有的蚀刻装置中,针对呈圆盘或环状的半导体硅环,通常是将硅环挂在一般的工装上,再放到蚀刻槽里静止浸泡在蚀刻液中,这样硅环的清洗效果较差,容易在硅环的表面上残留金属碎屑或者金属粉尘,同时这样就会造成环产品表面蚀刻不均匀,从而降低产品的良品率。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种结构简单,使用方便,能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑,同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触,增加了产品质量的半导体硅环蚀刻装置。
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:
一种半导体硅环蚀刻装置,包括筒体、电机、一个以上的半导体硅环和压紧装置,所述筒体的底面上设有一通孔,电机固定安装于筒体的底面上,电机的转轴穿过通孔延伸至筒体内部,转轴的顶部设有一螺丝孔,筒体内部垂直设有一螺杆,螺杆下端插入所述的螺丝孔中,并与螺丝孔螺纹连接,螺杆上套有一个以上的套管,套管均与螺杆螺纹连接,套管两侧均固定安装一横杆,横杆的顶面和底面上均固定安装一防腐蚀海绵层,一个以上的半导体硅环分别套设于上下两个套管之间,半导体硅环的上下端面与横杆顶部和底部上的防腐蚀海绵层相抵。
作为优选的技术方案,压紧装置由两根直杆、一根以上的支杆、一个以上的压紧块、一个以上的弹簧和一个以上的伸缩杆组成,两根直杆一左一右设置于筒体内部,一根以上的支杆分别固定安装直杆的相对面上,支杆均与半导体硅环相对设置,压紧块均固定安装于支杆的相对面上,压紧块的一端均与半导体硅环的外圈面相抵,一个以上的伸缩杆分别安装于直杆的外侧面上,伸缩杆另一端均与筒体的内壁固定连接,弹簧均套设于伸缩杆上,弹簧一端均与直杆固定连接,另一端均与筒体的内壁固定连接,直杆一端均顺着筒体的开口延伸至外界,并均固定安装一握把。
作为优选的技术方案,螺杆一端顺着筒体的开口延伸至外界,并固定安装一手把。
作为优选的技术方案,筒体的底面上固定安装四根支撑杆,四根支撑杆呈矩形结构分布,四根支撑杆下端固定安装一底板。
本实用新型具有以下有益效果:本实用新型结构简单,使用方便,能均匀的除去硅环表面和底面上的金属粉尘和碎屑,同时能使蚀刻液均匀的与硅环接触,增加了产品质量。
附图说明
图1为本实用新型实施例的整体结构示意图;
图2为图1中A-A处的局部剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的及优点更加清楚明白,以下结合实施例对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛科技大学,未经青岛科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820515212.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造