[实用新型]功率MOS器件

权利要求书

1.一种功率MOS器件，其特征在于，包括：

功率MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述功率MOS晶体管的第一导电端子电耦合至参考电位节点，所述功率MOS晶体管的栅极端子电耦合至驱动节点，并且所述功率MOS晶体管的第二导电端子电耦合至负载节点；

检测MOS晶体管，具有第一导电端子、栅极端子和第二导电端子，所述检测MOS晶体管的第一导电端子电耦合至检测节点，所述检测MOS晶体管的栅极端子电耦合至所述驱动节点，并且所述检测MOS晶体管的第二导电端子电耦合至所述负载节点；

检测电阻器，具有第一端子和第二端子，所述第一端子电耦合至所述参考电位节点；以及

开关，电耦合至所述检测电阻器的第二端子，并且被配置为将所述检测电阻器选择性地电耦合至所述检测节点。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述开关包括电耦合至控制节点的控制端子，所述控制节点不同于所述驱动节点并且独立于所述驱动节点。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述开关包括具有第一导电端子、控制端子和第二导电端子的连接MOS晶体管，所述连接MOS晶体管的第一导电端子电耦合至所述检测节点，所述连接MOS晶体管的控制端子被配置为接收驱动信号，并且所述连接MOS晶体管的第二导电端子形成检测端子。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述连接MOS晶体管的控制端子电耦合至所述驱动节点。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，包括：

半导体本体，具有第一导电类型、第一表面和第二表面；

第一绝缘栅极区域、第二绝缘栅极区域、第三绝缘栅极区域、第四绝缘栅极区域和第五绝缘栅极区域，自所述第一表面布置在所述半导体本体内；

第一沟道区域，具有第二导电类型，布置在彼此相邻的所述第一绝缘栅极区域和所述第二绝缘栅极区域之间；

第二沟道区域，具有所述第二导电类型，布置在彼此相邻的所述第三绝缘栅极区域和所述第四绝缘栅极区域之间的所述本体内；

第一源极区域，具有所述第一导电类型，并且布置在所述第一沟道区域和所述半导体本体的第一表面之间，所述功率MOS晶体管包括所述第一源极区域、所述第一沟道区域、所述第一绝缘栅极区域和所述第二绝缘栅极区域；

第二源极区域，具有所述第一导电类型，并且布置在所述第二沟道区域和所述半导体本体的第一表面之间，所述检测MOS晶体管包括所述第二源极区域、所述第二沟道区域、所述第三绝缘栅极区域和所述第四绝缘栅极区域；

所述半导体本体的一部分，布置在所述半导体本体的第一表面下方，位于多个绝缘栅极区域的所述第三绝缘栅极区域和所述第五绝缘栅极区域之间，形成耦合部分；

第一接触区域，从所述第一表面延伸到所述耦合部分中，并且形成所述检测节点；以及

所述半导体本体的电阻检测部分，布置在所述耦合部分下方并且形成所述检测电阻器。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，还包括富集区域，所述富集区域具有所述第一导电类型以及大于所述本体的掺杂等级，所述富集区域布置在所述耦合部分和所述半导体本体的第一表面之间。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括具有所述第二导电类型的连接沟道区域，所述连接沟道区域布置在所述富集区域下方的所述半导体本体内，所述开关包括连接MOS晶体管，所述连接MOS晶体管包括所述连接沟道区域、所述富集区域、所述耦合部分、所述第三绝缘栅极区域和所述第五绝缘栅极区域。

8.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，还包括：漂移区域，具有所述第一导电类型且掺杂等级大于所述本体，所述漂移区域布置在所述第一表面和所述第二表面之间，包含所述第一绝缘栅极区域和所述第二绝缘栅极区域，并且部分地通过所述第一绝缘栅极区域来横向地界定，所述漂移区域的布置在所述第二绝缘栅极区域和所述第五绝缘栅极区域之间的部分形成无源部分。