[实用新型]一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘

权利要求书

1.一种用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于，包括：

氮气供给通道，包括质量流量控制器，用于控制通入氮气的流量；

氩气供给通道，用于通入氩气；

总配通道，与所述氮气供给通道和所述氩气供给通道均连通，根据所述通入氮气和所述通入氩气的流量进行配比，将配比后的气体通出。

2.根据权利要求1所述的用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于：所述氮气供给通道包括第一氮气供给通道和第二氮气供给通道，所述第二氮气供给通道包括所述质量流量控制器，所述第一氮气供给通道和所述第二氮气供给通道均与所述总配通道连通。

3.根据权利要求2所述的用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于：所述氮气供给通道还包括第三氮气供给通道，所述第三氮气供给通道用于连通氮气气源，所述第三氮气供给通道分别与所述第一氮气供给通道和所述第二氮气供给通道连通。

4.根据权利要求2或3所述的用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于：所述第一氮气供给通道上依次设有第一氮气入口、压力传感器、第一电磁阀和第一氮气出口，所述第一氮气出口与总配通道入口连通。

5.根据权利要求4所述的用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于：所述第二氮气供给通道上依次设有第二氮气入口、氮气流量控制旋钮、质量流量控制器、第二电磁阀和第二氮气出口，所述氮气流量控制旋钮与氮气流量表连接，所述第二氮气出口与总配通道入口连通。

6.根据权利要求3所述的用于单晶硅拉制过程的氮气控制配盘，其特征在于：所述第三氮气供给通道包括第三氮气入口与第三氮气出口，所述第三氮气入口连接所述氮气气源，所述第三氮气出口与所述第一氮气入口和所述第二氮气入口均连通。