[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 201820526859.X | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN208173561U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 絏竣淏 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 腔室 冷却气体 基板处理装置 本实用新型 排出 气体供给部 气体排出部 供给基板 基板处理 加热腔室 侧表面 供给部 加热部 排出部 外部 移动 配置 | ||
本实用新型公开了一种基板处理装置。本实用新型涉及的基板处理装置(1)包括:气体供给部(300),用于向腔室(101)内供给基板处理用气体;气体排出部(400),用于将腔室(101)内的基板处理用气体排出到外部;加热部(200),配置于腔室(101)内,用于加热腔室(101)内部;冷却气体供给部(600),用于向腔室(101)内供给冷却气体(CG);以及冷却气体排出部(700),用于将腔室(101)内的冷却气体(CG)排出到外部,冷却气体(CG)沿着腔室(101)的侧表面移动。
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置。更加详细而言,涉及一种通过使冷却气体沿着腔室的侧表面移动,以使腔室内的热量随着冷却气体的流动而排出的基板处理装置。
背景技术
在制造显示装置或半导体器件时所使用的基板处理装置中,有可能对用于处理基板的腔室内部供给大量气体或者从该腔室内部排出大量气体。这种气体出于在基板上形成薄膜,或者在基板上的薄膜上形成图案,或者对腔室内部的氛围进行换气等目的,能够供给到腔室内部后,从腔室排出到外部。
在对基板实施热处理等处理以后,需要冷却过程。为了在与外部环境隔绝的状态下实施冷却工艺,需要中断加热后缓慢冷却基板,或者向腔室内供给与基板处理用气体不同的另外的冷却气体后排出的过程。然而,此时,由于腔室的冷却速度慢,导致生产率下降,并且,为了在整个腔室上设置与基板处理用气体供给/排出单元独立的冷却气体供给/排出单元,导致装置复杂且装置的成本上升。
另外,在基板处理过程中,腔室内壁有可能被供给到腔室内部的气体或者从基板挥发的气体污染。在基板处理工艺中,腔室内部需要保持规定的工艺温度以及工艺压力,此时,由于腔室外部与腔室内部的温度差以及压力差,有可能发生气体冷凝在腔室内壁的现象。被冷凝的气体在重复的基板处理工艺中有可能重复蒸发、冷凝,或者与其他化学成分气体进行反应,或者在特定温度环境下变质,从而有可能进一步污染腔室内壁。最终,在现有的基板处理装置中,腔室内壁的被污染物质在以后的基板处理过程中因再蒸发而流入到基板上,污染基板,因而降低产品的可靠性,降低收率,需要清洗腔室内壁的被污染物质,或者更换腔室壁自身。
实用新型内容
技术问题
本实用新型是为了解决上述的现有技术的各种问题而提出的,其目的在于,提供一种可以快速冷却腔室内部的基板处理装置。
另外,本实用新型的目的在于,提供一种可以以简单的结构来冷却腔室内部的基板处理装置。
另外,本实用新型的目的在于,提供一种可以使腔室内壁保持在规定温度以防止气体冷凝于腔室内壁的基板处理装置。
另外,本实用新型的目的在于,提供一种可以通过保持腔室内壁不被污染来提高产品的可靠性以及收率的基板处理装置。
技术方案
本实用新型的上述目的通过如下所述的基板处理装置来实现,该基板处理装置包括:气体供给部,用于向腔室内供给基板处理用气体;气体排出部,用于将所述腔室内的基板处理用气体排出到外部;加热部,配置于所述腔室内,用于加热所述腔室内部;冷却气体供给部,用于向所述腔室内供给冷却气体;以及冷却气体排出部,用于将所述腔室内的冷却气体排出到外部,所述冷却气体沿着所述腔室的侧表面移动。
所述冷却气体供给部可以沿着垂直方向连接在所述腔室的一侧表面的侧端。
一对所述冷却气体供给部可以沿着垂直方向连接在所述腔室一侧表面的两个侧端。
所述冷却气体供给部可以包括:冷却气体引入部,用于提供使冷却气体从外部流入的通道;以及冷却气体吐出部,与所述冷却气体引入部的一端连接,包括分散部以使从所述冷却气体引入部流入的冷却气体在垂直方向上分散。
在所述冷却气体吐出部的一侧连接有彼此隔开的多个冷却气体吐出管,所述冷却气体吐出管可以连通到所述腔室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰拉半导体株式会社,未经泰拉半导体株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820526859.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造