[实用新型]一种CMOS图像传感器封装结构

说明书

本实用新型公开了一种CMOS图像传感器封装结构，玻璃(3)通过键合围堰(2)封装于晶圆(1)上，其特征在于，所述的玻璃(3)采用红外截止膜镀膜的玻璃；玻璃(3)厚度200～300微米。解决炫光问题，成本低，效果好。

本申请要求2018年1月23日申请的申请号为201810072743.8，发明名称为一种CMOS图像传感器封装结构的中国专利的优先权。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，尤其涉及一种CMOS图像传感器封装结构。

背景技术

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，互补金属氧化物半导体。CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器。CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成,这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。

目前，CMOS图像传感器产品的晶圆级封装，键合的玻璃采用的是普通白光玻璃，封装的产品在制作成摄像头模组后，会发生炫光问题。目前解决炫光问题的方式不多，大多成本较高，效果不理想。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种CMOS图像传感器封装结构，解决炫光问题，成本低，效果好。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种CMOS图像传感器封装结构，玻璃3通过键合围堰2封装于晶圆1上，所述的玻璃3采用红外截止膜镀膜的玻璃；玻璃3厚度200～300微米。

所述的键合围堰2采用黑胶。

由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型实施例提供的一种CMOS图像传感器封装结构，解决炫光问题，成本低，效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1为本实用新型实施例提供的CMOS图像传感器封装结构的结构示意图一；

图2为本实用新型实施例提供的CMOS图像传感器封装结构的结构示意图二。

具体实施方式

下面结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型的保护范围。

下面将结合附图对本实用新型实施例作进一步地详细描述。

如图1所示，一种CMOS图像传感器封装结构，玻璃3通过键合围堰2封装于晶圆1上，所述的玻璃3采用红外截止膜(IR CUT)镀膜的玻璃；，红外截止膜IR-CUT可以有效的阻止环境光中的红外线。芯片感光单元在对可见光的感应并转化电流时，这部分红外线会造成转化电流的串扰，从而更容易发生芯片呈像的炫光问题。

玻璃3厚度200～300微米，可以有效的降低炫光的影响，在该厚度下，可见光可以有效的通过玻璃折射入芯片的感光单元，有效的减少玻璃内外表面反射造成的光学干扰，从而降低炫光问题发生的几率。