[实用新型]一种多晶硅玻璃电池薄膜有效
申请号: | 201820532185.4 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN208622737U | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 郭雅婷 | 申请(专利权)人: | 郭雅婷 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池薄膜 装置主体 结构硅胶 多晶硅 前板 无机抗反射层 玻璃电池 硬掩膜层 薄膜 焊接 蚀刻 本实用新型 丁基热熔胶 保护能力 顶部设置 防爆保护 紧密贴合 氧化硅层 不定形 防爆膜 结构胶 密封性 致密性 背板 崩塌 壳体 碳层 粘接 玻璃 | ||
本实用新型公开了一种多晶硅玻璃电池薄膜,包括电池薄膜装置主体、壳体、背板和多晶硅玻璃,前板底部设置有防爆膜紧密贴合在前板上,可以进行对前板以及丁基热熔胶和结构硅胶进行有效防爆保护,电池薄膜装置主体底部左侧设置有结构硅胶紧密焊接在电池薄膜装置主体上,结构硅胶属于结构胶粘接强度提高了电池薄膜装置主体密封性,硬掩膜层顶部设置有氧化硅层固定连接在硬掩膜层上,很好提高了电池薄膜装置主体致密性,无机抗反射层底部设置有不定形碳层紧密焊接在无机抗反射层上,属于比较稳定一个层体,可以防止在蚀刻过程中电池薄膜装置主体会出现崩塌后果,提高了电池薄膜装置主体保护能力,适用于电池薄膜的使用,在未来具有广泛的使用前景。
技术领域
本实用新型涉及电池薄膜的技术领域,具体为一种多晶硅玻璃电池薄膜。
背景技术
目前电池技术是电动汽车等新能源设备进行推广和发展的门槛,而目前的电池产业正处于铅酸电池和传统锂电池发展遭遇瓶颈的时期,石墨烯储能设备的研制成功,则会带来电池产业,新能源产业的新的变革。
但现有的多晶硅玻璃电池薄膜,其不足之处在于多晶硅玻璃电池薄膜在其使用的时候会出现以下四种不足之处,首先多晶硅玻璃电池薄膜的安全性不高,然后多晶硅玻璃电池薄膜的密封性不强,接着多晶硅玻璃电池薄膜的致密性差,紧接着多晶硅玻璃电池薄膜的保护能力不好。
所以,如何设计一种多晶硅玻璃电池薄膜,成为我们当前要解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多晶硅玻璃电池薄膜,以解决上述背景技术中提出安全性不高,密封性不强,致密性差以及保护能力不好的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种多晶硅玻璃电池薄膜,包括电池薄膜装置主体、壳体、背板和多晶硅玻璃,所述电池薄膜装置主体的表面设置有壳体,所述壳体通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体上,所述电池薄膜装置主体的顶部设置有前板,所述前板通过板体紧密贴合在电池薄膜装置主体上,所述电池薄膜装置主体的底部右侧设置有丁基热熔胶,所述丁基热熔胶通过板体紧密贴合在电池薄膜装置主体上,所述电池薄膜装置主体的底部设置有背板,所述背板通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体上,所述电池薄膜装置主体的顶端设置有多晶硅玻璃,所述多晶硅玻璃通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体上,所述多晶硅玻璃的底端设置有半导体衬底,所述半导体衬底通过板体紧密贴合在多晶硅玻璃上,所述半导体衬底的顶部设置有栅极氧化层,所述栅极氧化层通过胶水固定连接在半导体衬底上,所述栅极氧化层的顶部设置有多晶硅层,所述多晶硅层通过胶水固定连接在栅极氧化层上,所述多晶硅层的顶部设置有多晶硅氧化硅层,所述多晶硅氧化硅层通过焊接条紧密焊接在多晶硅层上,所述多晶硅氧化硅层的顶部设置有硬掩膜层,所述硬掩膜层通过板体紧密贴合在多晶硅氧化硅层上,所述多晶硅玻璃的顶端设置有光阻层,所述光阻层通过焊接条紧密焊接在多晶硅玻璃上,所述光阻层的底部设置有有机抗反射层,所述有机抗反射层通过板体紧密贴合在光阻层上,所述有机抗反射层的底部设置有无机抗反射层,所述无机抗反射层通过胶水固定连接在有机抗反射层上。
进一步的,所述前板的底部设置有防爆膜,所述防爆膜通过板体紧密贴合在前板上。
进一步的,所述电池薄膜装置主体的底部左侧设置有结构硅胶,所述结构硅胶通过焊接条紧密焊接在电池薄膜装置主体上。
进一步的,所述硬掩膜层的顶部设置有氧化硅层,所述氧化硅层通过焊接条紧密焊接在硬掩膜层上。
进一步的,所述无机抗反射层的底部设置有不定形碳层,所述不定形碳层通过焊接条紧密焊接在无机抗反射层上。
进一步的,所述防爆膜设置有两块,主要是以玻璃材质制作而成。
进一步的,所述结构硅胶设置有两块,分别设置在电池薄膜装置主体的底部左侧和右侧部位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的