[实用新型]低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构

说明书

本实用新型涉及一种低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构，其特征是：所述面料结构由涤锦复合丝和复合型导电纤维网络交织而成；所述涤锦复合丝包括涤纶纤维基体，在涤纶纤维基体的横截面上沿横截面的圆周方向布置若干呈发射状的锦纶部分，若干呈发射状的锦纶部分将涤纶纤维基体在横截面上分割成若干呈发射状的瓣体部分，锦纶部分和涤纶纤维基体的瓣体部分之间相隔离形成空隙，使涤锦复合丝的横截面形成若干呈菊瓣型的瓣体。本实用新型具有优良的擦拭效果，能够防止静电产生，以确保集成电路板的质量。

技术领域

本实用新型涉及一种低电压无尘洁净擦拭面料，尤其是一种低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构。

背景技术

随着电子技术的不断发展，大规模和超大规模集成电路的快速发展，电子产品对生产环境要求越来越高，同时对静电防护要求越来越高。用于擦拭硅片表面的擦拭布要求具有优良的擦拭效果，并且能够防止静电产生，以确保集成电路板的质量；因而，对擦拭布提出了低摩擦、防静电和无尘的要求。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构，具有优良的擦拭效果，能够防止静电产生，以确保集成电路板的质量。

按照本实用新型提供的技术方案，所述低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构，其特征是：所述面料结构由涤锦复合丝和复合型导电纤维网络交织而成；所述涤锦复合丝包括涤纶纤维基体，在涤纶纤维基体的横截面上沿横截面的圆周方向布置若干呈发射状的锦纶部分，若干呈发射状的锦纶部分将涤纶纤维基体在横截面上分割成若干呈发射状的瓣体部分，锦纶部分和涤纶纤维基体的瓣体部分之间相隔离形成空隙，使涤锦复合丝的横截面形成若干瓣体。

进一步地，所述面料结构由涤锦复合丝和复合型导电纤维以1:1进行网络交织而成。

进一步地，所述复合型导电纤维由导电部分和非导电部分组成，导电部分嵌于非导电部分内且导电部分的局部外露于非导电部分的表面。

进一步地，所述导电部分采用两叶型嵌于非导电部分内。

进一步地，所述导电部分采用碳黑，非导电部分采用涤纶纤维。

本实用新型具有以下优点：

（1）本实用新型采用超细涤锦复合丝和导电纤维，充分利用各自特性，具有优良的除尘性能和防静电低摩擦电压性能；

（2）本实用新型采用涤锦超细纤维和导电纤维1：1网络交织，使产品摩擦电压≦40V；

（3）本实用新型选择40针高密针织园机织造工艺路线，保证产品洁净、防静电功能；

（4）本实用新型是微电子行业和其它电子行业理想的低电压无尘洁净擦拭布。

附图说明

图1为本实用新型所述低摩擦电压高密超细无尘擦拭布的面料结构的示意图。

图2为所述涤锦复合丝的截图面。

图3为所述复合型导电纤维的截图面。

附图标记说明：1-涤锦复合丝、2-复合型导电纤维、11-涤纶纤维基体、12-锦纶部分、13-瓣体部分、21-导电部分、22-非导电部分。

具体实施方式

下面结合具体附图对本实用新型作进一步说明。