[实用新型]一种半导体加工部件电弧溶射专用保护治具有效
申请号: | 201820537130.2 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN208000905U | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 熊志红;张远 | 申请(专利权)人: | 深圳仕上电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 深圳市汉唐知识产权代理有限公司 44399 | 代理人: | 刘海军 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 治具 半导体加工部件 电弧 本实用新型 凹槽连通 主体顶面 专用保护 侧面 放入 内开 开口 待加工工件 加工效率 相对设置 中间凸块 开口处 取出 外部 保留 | ||
1.一种半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的保护治具包括第一主体和第二主体,第一主体和第二主体相对设置,第一主体内开设有第一凹槽,第一主体顶面与一个侧面处设置有与第一凹槽连通的开口,第一主体的侧面的开口处设置有中间凸块,第二主体内开设有第二凹槽,第二主体顶面与一个侧面处设置有与第二凹槽连通的开口,第二主体底面上设置有溶射缺口。
2.根据权利要求1所述的半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的第一主体上的第一凹槽内侧设置有一个以上的侧边凸块,侧边凸块与第一主体一体设置。
3.根据权利要求2所述的半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的第一凹槽每个侧面处分别设置有两个侧边凸块,第一凹槽内部相对于开口一面中间位置设置有一个侧边凸块。
4.根据权利要求1所述的半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的中间凸块与第一主体一体设置,中间凸块顶部开设有弧形凹槽。
5.根据权利要求1所述的半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的中间凸块两侧分别设置有一个侧凹槽。
6.根据权利要求1所述的半导体加工部件电弧溶射专用保护治具,其特征是:所述的第一主体侧面开设有限位缺口,限位缺口与第一凹槽的侧面开口相对设置,第二主体侧面固定设置有限位凸条,限位凸条与限位缺口对应设置,限位凸条与限位缺口形状相吻合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳仕上电子科技有限公司,未经深圳仕上电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820537130.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:治具开合机构
- 下一篇:一种降低硅片表面损伤的太阳能硅片用夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造