[实用新型]一种新型MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201820541100.9 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN208272947U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 彭宪奇;李有凯 | 申请（专利权）人： | 南京创佳通讯电源设备有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京汇恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32282 | 代理人： | 房鑫磊 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 驱动电路 整流电路 稳压电路 电阻 本实用新型 并联连接 输入端 变压器 电路 变压器次级线圈 输出端连接 信号输出端 信号输入端 供电 电路连接 驱动信号 输入电路 输出 失效率 占空比 桥臂 源极 栅级 | ||
1.一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于：包括变压器、整流电路D1、驱动电路、MOSFET、电阻R1、驱动信号输入电路R2、稳压电路ZD2、电容C1和电容C2，所述整流电路D1的两个输入端分别与变压器次级线圈的两个输出端连接，所述电阻R1和稳压电路ZD2串联连接，且稳压电路ZD2的正极与整流电路D1的输出VEE连接，稳压电路ZD2的负极与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与整流电路D1的输出VCC连接，所述电容C1和电容C2串联连接，且所述电容C1与电阻R1并联连接，所述电容C2与稳压电路ZD2并联连接，所述整流电路D1的输出VCC和输出VEE分别与驱动电路连接并给驱动电路供电，所述整流电路D1的其中一个输入端通过驱动信号输入电路R2与驱动电路的信号输入端连接，驱动电路的信号输出端与MOSFET的栅级连接，MOSFET的源极分别与电阻R1和稳压电路ZD2之间的电路、电容C1和电容C2之间的电路连接。
2.根据权利要求1所述的一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述的整流电路D1是一体式的整流桥或由二极管组成。
3.根据权利要求1所述的一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述的MOSFET 的型号是Si场效应晶体管、SiC场效应晶体管或GaN场效应晶体管中的任一种。
4.根据权利要求1所述的一种新型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述的电容C1和电容C2的电容量相同或不同。
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