[实用新型]应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉有效
| 申请号： | 201820542879.6 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN208352702U | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张彩;武晓伟 | 申请（专利权）人： | 大连藏龙光电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/042 | 分类号： | H01S3/042;H01S3/04 |
| 代理公司： | 大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙) 21236 | 代理人： | 朱国芳 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热沉基板 激光器芯片 薄膜电阻 本实用新型 可调激光器 加热电阻 发射端 光器件 热沉 透镜 应用 高频匹配电路 传统激光器 高频传输线 匹配电阻 热敏电阻 正前方 位置处 芯片 | ||
1.应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，包括热沉基板及固定于热沉基板上的激光器芯片，其特征在于：热沉基板上还设置有：
V形槽口，位于激光器芯片的正前方位置处，用于放置透镜；
加热电阻，位于激光器芯片相邻侧，其为集成在热沉基板上的薄膜电阻；
热敏电阻，其为集成在热沉基板上的薄膜电阻；
匹配电阻，用于高频匹配电路中，其为集成在热沉基板上的薄膜电阻；以及高频传输线。
2.根据权利要求1所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述加热电阻周围的热沉基板上、除与激光器芯片同侧的位置外均设置有凹槽。
3.根据权利要求1所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述热敏电阻为Pt薄膜电阻，其通过Ni镀层集成于热沉基板上。
4.根据权利要求1所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述高频传输线的宽度为0.14mm，间距为0.08mm。
5.根据权利要求1所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述Ｖ形槽口的角度和深度以能够使放置其中的透镜的中心与激光器芯片的发光中心同轴为原则来确定。
6.根据权利要求1-5任一所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述热沉基板为硅基板。
7.根据权利要求6所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述硅基板的尺寸为2.9mm×2.0mm×0.5mm，硅基板采用高阻单晶硅制成。
8.根据权利要求7所述的应用于下一代PON技术的可调激光器发射端热沉，其特征在于：所述硅基板上还设置有元器件贴装标记点及预留焊盘。
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