[实用新型]发光二极管封装有效

专利信息
申请号: 201820564234.2 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN208111474U 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 魏志宏;吴明昌;吴健旸;黄冠尧;张柏宁 申请(专利权)人: 研晶光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/64
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;许志影
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 绝缘材 铜基板 发光二极管晶片 导热件 发光二极管封装 透光件 配置 本实用新型 多条导线 发光波段 负电极 跨接 罩设 分隔 贯穿
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装,其特征在于,包含:

一第一绝缘材;

一第二绝缘材;

一铜基板,该第一绝缘材及该第二绝缘材分别自该铜基板的底部贯穿顶部,以将该铜基板分隔为独立的一第一部分、一第二部分及一第三部分,其中该第一绝缘材及该第二绝缘材由该第二部分间隔;

一导热件,配置于该铜基板上;

一发光二极管晶片,配置于该导热件上,其中该发光二极管晶片的发光波段为200至330纳米;

多条导线,跨接于铜基板及该发光二极管晶片的多个电极之间;以及

一透光件,配置于该铜基板上并罩设该导热件、该发光二极管晶片及该等导线。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,该导热件配置于该铜基板的该第二部分,该等导线中之一者跨接于该铜基板的该第一部分和该发光二极管晶片的一正电极之间,该等导线中的另一者跨接于该铜基板的该第三部分和该发光二极管晶片的一负电极之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,该导热件配置于该铜基板的该第一部分,该等导线中的一者跨接于该铜基板的该第一部分和该发光二极管晶片的一正电极之间,该等导线中的另一者跨接于该铜基板的该第二部分和该发光二极管晶片的一负电极之间。

4.如权利要求2或3所述的发光二极管封装,其特征在于,该透光件包含:

一外表面,具有一第一外线段及一第二外线段,该第一外线段邻接于该第二外线段,且该第一外线段及该第二外线段之间的一夹角为直角;以及

一内表面,具有一第一内线段及一第二内线段,该第一内线段邻接于该第二内线段,且该第一内线段及该第二内线段之间的一夹角为直角。

5.如权利要求2或3所述的发光二极管封装,其特征在于,该透光件包含:

一外表面,为一曲面;以及

一内表面,具有一第一内线段及一第二内线段,该第一内线段邻接于该第二内线段,该第一内线段及该第二内线段之间的一夹角为直角。

6.如权利要求2或3所述的发光二极管封装,其特征在于,该透光件包含:

一外表面,具有一第一外线段、一第二外线段及一第三外线段,该第一外线段邻接于该第二外线段,该第二外线段邻接于该第三外线段,该第一外线段及该第二外线段之间的一夹角为钝角,以及该第二外线段及该第三外线段之间的一夹角为锐角;以及

一内表面,具有一第一内线段及一第二内线段,该第一内线段及该第二内线段之间的一夹角为钝角。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,由侧剖面观之,该发光二极管封装的高度大于250微米。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装,其特征在于,由侧剖面观之,该发光二极管封装的高度大于300微米。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,由该发光二极管封装的侧剖面观之,该发光二极管晶片与该透光件之间具有一空气间隔。

10.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,该发光二极管晶片的发光波段为265至275纳米。

11.如权利要求1所述的发光二极管封装,其特征在于,更包含一接合件,设于该透光件及该铜基板之间以结合该透光件及该铜基板。

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