[实用新型]新型氧化物薄膜晶体管器件

说明书

本实用新型公开了一种新型氧化物薄膜晶体管器件，由下往上依次包括基层、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处；本实用新型相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层电偶极子层，该电偶极子层能在不损伤氧化物层的前提下有效修饰氧化物表面以提高器件稳定性。

技术领域

本发明涉及一种通过溶剂对薄膜晶体管的氧化物层表面进行修饰的方法，该薄膜晶体管主要用于有机发光显示、液晶显示、电子纸的有源驱动，也可以用于集成电路。

背景技术

近年来，基于金属氧化物的薄膜晶体管因为其迁移率高、透光性好、薄膜结构稳定、制备温度低以及成本低等优点受到越来越多的重视。金属氧化物薄膜晶体管的发展主要目票是用于平板显示、柔性电子器件、透明电子器件以及传感器等方面。在平板显示方面，目前主要使用氢化非晶硅(a-Si:H)或多晶硅等材料的薄膜晶体管，然而氢化非晶硅材料的局限性主要表现在对光敏感、电子迁移率低(<1cm²/Vs)以及电学参数稳定性差等方面，而多晶硅薄膜的局限性主要体现在电学性质均匀性差、制备温度高以及成本高等方面。

氧化物半导体材料主要包括氧化锌(ZnO)、氧化铟镓(InGaO)、氧化锌锡(ZnSnO)、氧化铟镓锌(InGaZnO)等。基于这些金属氧化物的薄膜晶体管电子迁移率高(1～100cm²/Vs)、制备温度低(<400℃，远低于玻璃的熔点)、成本低(只需要普通的溅射工艺即可完成)以及持续工作稳定性好。正因为如此，基于氧化物的薄膜晶体管在平板显示领域尤其是有机发光显示(OLED) 领域有替代传统的硅材料工艺薄膜晶体管的趋势，受到学术界和业界的关注和广泛研究。

通常，基于氧化物的薄膜晶体管都没有电偶极子层，即只有一层氧化物半导体，由于氧化物半导体表面存在缺陷多、容易与空气中的氧、水等发生反应等缺点，这种器件的磁滞回线较大，阈值电压容易发生漂移，器件性能不稳定。

因此，为解决以上问题，需要一种新型氧化物薄膜晶体管器件，能够减小器件磁滞回线，提高器件稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是克服现有技术中的缺陷，提供新型氧化物薄膜晶体管器件，能够减小器件磁滞回线，提高器件稳定性。

本发明的新型氧化物薄膜晶体管器件，由下往上依次包括基层、栅极、绝缘层、氧化物层、氧化钼层、电偶极子层、源极和漏极；所述氧化钼层包括左氧化钼层和右氧化钼层且间隔覆盖于氧化层上表面横向左、右侧，所述源极和漏极分别覆盖于左氧化钼层和右氧化钼层且电偶极子层覆盖于氧化物层上表面上位于左氧化钼层和右氧化钼层之间处。

进一步，所述电偶极子层通过甲醇溶剂旋涂制得。

进一步，所述电偶极子层的厚度为5-10nm。

进一步，所述氧化钼层的厚度为2-4nm。

进一步，所述氧化钼层通过蒸镀制得。

本发明的有益效果是：本发明公开的一种新型氧化物薄膜晶体管器件，具有如下优点和有益特征：

(1)本发明相比原有的氧化物薄膜晶体管器件结构多了一层电偶极子层，该电偶极子层能在不损伤氧化物层的前提下有效修饰氧化物表面以提高器件稳定性；

(2)本发明所述的电偶极子层可通过旋涂甲醇、无水乙醇、异丙醇、二甲苯、甲苯、氯仿等普通溶剂而形成，所述溶剂均为较常见的溶剂，而且工艺简单；

(3)本发明通过氧化钼层利于提高源极和漏极与氧化物层接触的电学性能，改善器件性能。

附图说明