[实用新型]一种显示屏及移动终端有效
申请号: | 201820567600.X | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN208256675U | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 文亮 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体区域 显示屏 遮挡 本实用新型 像素单元 遮光层 照射 移动终端 透光度 亚像素 光源 有机发光单元 削弱 漏极 源极 | ||
本实用新型提供了一种显示屏及移动终端,解决现有技术对整个TFT进行遮挡以削弱光线对TFT的照射,容易降低显示屏的透光度的问题。本实用新型的显示屏包括:像素单元,像素单元包括至少一个亚像素,一个所述亚像素包括至少一个TFT以及位于TFT上的有机发光单元;位于光源和像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层;预定TFT的半导体区域是指预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。本实用新型实施例一方面通过该遮光层能够遮挡光源发出的光对TFT半导体区域的照射,另一方面,该遮光层仅仅是对预定TFT的半导体区域进行遮挡,而不是对所有TFT进行遮挡,在削弱光线对预定TFT照射的前提下,提高了显示屏的透光度。
技术领域
本实用新型涉及电子应用的技术领域,尤其涉及一种显示屏及移动终端。
背景技术
目前手机屏幕从非全面屏进入到全面屏,在非全面屏手机中,手机上的发光灯,摄像头,发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)灯等都是设置在屏幕周边,而全面屏手机中,屏幕占据了手机正面的绝大部分面积,手机上的发光灯、LED灯、摄像头等设置在了屏幕的下方。屏幕下方的灯发出的包括可见光在内的各波段的光需要穿过屏幕发射出去,另外外面的光线需要穿过屏幕被摄像头、光学传感器等设备接收到。光线包括可见光、红外光、X光等穿过有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode,简称AMOLED)像素。AMOLED像素设计包括低温多晶硅型TFT(LTPS TFT)像素驱动电路部分,以及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED部分。光线通过的路径主要为:1.通过像素中没有金属走线遮光的缝隙区域;2.有机发光二极管具有一定的透光性,穿透发光二极管区域。
现有设计及工艺过程制造的AMOLED屏幕,当包括可见光在内的光线从屏下穿过屏幕时,将会发生以下问题:某些波段的光被TFT吸收发热,引起TFT功能退化,从而出现显示不均等问题,一般通过对整个TFT进行遮挡的方案,来削弱光线对TFT的照射,但对整个TFT进行遮挡,往往会降低显示屏的透光度,导致显示效果不佳。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示屏及移动终端,用以解决现有技术对整个TFT进行遮挡以削弱光线对TFT的照射,容易降低显示屏的透光度的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型是这样实现的:
第一方面,本实用新型实施例提供了一种显示屏,包括:
像素单元,所述像素单元包括至少一个亚像素,一个所述亚像素包括至少一个薄膜晶体管TFT以及位于TFT上的有机发光单元;
位于光源和所述像素单元的预定TFT的半导体区域之间的遮光层;
所述预定TFT的半导体区域是指所述预定TFT的源极和漏极之间的半导体区域。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种移动终端,包括如上所述的显示屏。
在本实用新型实施例中,在光源和预定TFT的半导体区域之间设置遮光层,一方面通过该遮光层能够遮挡光源发出的光对TFT半导体区域的照射,能够有效防止TFT功能退化,进而改善光照下AMOLED屏幕显示不均的情况,另一方面,该遮光层仅仅是对预定TFT的半导体区域进行遮挡,而不是对所有TFT进行遮挡,在削弱光线对预定TFT照射的前提下,提高了显示屏的透光度。
附图说明
图1为本实用新型实施例的显示屏的第一结构示意图;
图2为本实用新型实施例的显示屏的第二结构示意图;
图3为本实用新型实施例中的一种像素电路原理图;
图4为本实用新型实施例中的另一种像素电路原理图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的