[实用新型]基板加热装置

说明书

本实用新型涉及基板加热装置，提供一种在将晶圆载置于加热板来进行加热的加热装置中抑制加热板的热对设置于加热装置的驱动系统的影响的技术。构成为由晶圆搬送机构将被加热板加热处理过的晶圆搬送到冷却板，在从加热板的下方侧起到冷却板的下方侧为止连续配置的水冷板的下方侧设置有构成晶圆搬送机构的例如包括带驱动机构的移动机构。因此，即使加热板的温度为600℃的高温，由于加热板的辐射热被水冷板遮蔽，因此对于移动机构的耐热性变大。

技术领域

本实用新型涉及一种将基板载置于加热板来进行热处理的技术。

背景技术

作为成为半导体制造装置的制造工序中使用的蚀刻掩膜的薄膜，已知例如被称作SOC(Spin On carbon：旋涂碳)膜等的涂布膜。在将包括涂布膜的前体的药液旋涂于例如半导体晶圆(以下称作“晶圆”)后进行加热来通过交联反应使该药液硬化，从而得到该涂布膜。涂布膜的耐蚀刻性通过提高涂布膜的致密性而增大，因而，通过提高交联反应时的加热温度，耐蚀刻性得到增大。

随着半导体元件的薄层化的发展，对蚀刻掩膜要求更大的耐蚀刻性，从而处于无法避免涂布膜的加热时的高温化的状况。在专利文献1中记载了如下一种基板加热装置：将晶圆载置于加热板上，在加热处理之后，将晶圆交接于具备冷却水的配管的专用的臂上来一边进行冷却一边将晶圆移动到相对于外部的搬送臂的交接位置。

然而，当加热部的加热温度变高时，在利用冷却臂接受被载置于加热部的晶圆时冷却臂被加热。并且，在冷却臂停止在加热部的上方的情况下，冷却臂可能长时间暴露于高温下。其结果是，存在用于对冷却臂进行冷却的冷却水沸腾的风险、或具有因为由于热的负荷引起的消耗而维护周期变短的担忧。

在专利文献2中记载了一种设置有用于在冷却板与加热部之间交接晶圆W的臂的结构，但没有记载基于加热板的晶圆的加热温度超过500℃这样的高温的情况下的针对热的对策。

专利文献1：日本特开2007-294753(段落0003～0005、图18)

专利文献2：日本专利第5220505号

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本实用新型是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种在将基板载置于加热板来进行加热的基板加热装置中抑制加热板的热对设置于基板加热装置的驱动系统的影响的技术。

用于解决问题的方案

一种基板加热装置，其特征在于，具备：加热板，其载置基板并且对基板进行加热；冷却板，其与所述加热板沿前后方向相邻地设置，冷却板用于载置从外部搬入来的加热处理前的基板并且对被所述加热板加热处理后的基板进行冷却；基板搬送机构，其用于在所述冷却板与所述加热板之间搬送基板；隔热板，其从所述加热板的下方侧起到所述冷却板的下方侧为止连续设置；冷却机构，其用于冷却所述隔热板，以及低氧气氛形成部，其用于将对基板进行加热处理的气氛设为低氧气氛，其中，所述基板搬送机构具备用于保持基板的基板保持部、以及设置于比所述隔热板靠下方侧的位置且使所述基板保持部沿前后方向移动的移动机构。

根据所述的基板加热装置，其特征在于，所述加热板构成为将所述基板加热到450℃以上的温度。

根据所述的基板加热装置，其特征在于，所述冷却机构为沿着所述隔热板设置的冷却介质的流路。

根据所述的基板加热装置，其特征在于，所述基板保持部具备：左侧保持部，其从比所述冷却板靠左侧的位置向上方伸出，并且向右侧弯曲来保持基板的左侧的缘部；以及右侧保持部，其从比所述冷却板靠右侧的位置向上方伸出，并且向左侧弯曲来保持基板的右侧的缘部。

根据所述的基板加热装置，其特征在于，所述隔热板形成有用于所述左侧保持部和所述右侧保持部在分别贯通的状态下移动的左侧切口部和右侧切口部。