[实用新型]一种霍尔离子源气路结构有效

专利信息
申请号: 201820569952.9 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN208136326U 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 薛照明;李围红;薛海 申请(专利权)人: 成都金雅克电气有限公司
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 李龙
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 气体分配器 陶瓷碗 环形减压腔 霍尔离子源 缓冲装置 进气装置 气路结构 出气孔 反应腔 通气孔 真空镀膜技术 本实用新型 圆心 反应气体 均匀设置 依次连接 反应室 上表面 圆盘状 离化 接通 规划
【权利要求书】:

1.一种霍尔离子源气路结构,包括依次连接的进气装置(1)、缓冲装置(2)以及反应腔,其特征在于,所述缓冲装置(2)包括上、下设置的气体分配器(4)和陶瓷碗(5),所述陶瓷碗(5)和气体分配器(4)均为圆盘状,所述陶瓷碗(5)的上表面设置有环形减压腔(6),其环形减压腔(6)上设置有通气孔(7),所述通气孔(7)与进气装置(1)连接,所述气体分配器(4)沿圆心均匀设置有多个出气孔(8),多个所述出气孔(8)与反应腔接通。

2.根据权利要求1所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述气体分配器(4)的中心设置有圆环(9),圆环(9)外罩设有导磁片(10)和刻蚀盖(11)。

3.根据权利要求2所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述导磁片(10)为环状,其内径等于所述圆环(9)的外径。

4.根据权利要求2所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述刻蚀盖(11)的中部设置有凸起(17),所述凸起(17)的半径等于所述圆环(9)的外径。

5.根据权利要求1所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述进气装置(1)包括进气筒(12)和气体过渡盘(13)。

6.根据权利要求5所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述气体过渡盘(13)的中部设置有过渡腔,所述气体过渡盘(13)的上、下表面分别设置有与所述过渡腔连通的第一通孔(14)和第二通孔(15),所述第一通孔(14)与通气孔(7)接通,所述第二通孔(15)与进气筒(12)接通。

7.根据权利要求6所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述第一通孔(14)和第二通孔(15)错位设置,分别位于过渡腔的两端。

8.根据权利要求6所述的一种霍尔离子源气路结构,其特征在于,所述气体过渡盘(13)、陶瓷碗(5)以及气体分配器(4)均设置有螺钉(3)孔。

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