[实用新型]组合掩膜版有效
申请号: | 201820570655.6 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN208283720U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 吴晗 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/62 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 界定 掩膜版 组合掩膜 分格 线条 掩蔽图形 内围 制备 半导体器件 通孔阵列 阵列区 延伸 | ||
1.一种组合掩膜版,其特征在于,用于在一阵列区中界定出分格阵列,所述组合掩膜版包括:
第一掩膜版,形成有多条平行的第一线条,所述第一线条完全对应在所述阵列区中;
第二掩膜版,形成有多条平行的第二线条,所述第二线条对应贯穿所述阵列区并延伸至非阵列区中,所述第二掩膜版的所述第二线条用于和所述第一掩膜版的所述第一线条相交在所述阵列区中,以界定出所述分格阵列;以及,
第三掩膜版,形成有掩蔽图形,所述掩蔽图形用于定义出所述阵列区,并用于掩蔽所述非阵列区;
其中,所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时,利用第三掩膜版的所述掩蔽图形定义出所述阵列区,所述第一掩膜版的所述第一线条和所述第二掩膜版的所述第二线条相交以界定出多个第一分格在所述阵列区中,多个所述第一分格构成内围阵列;所述第二掩膜版的所述第二线条从所述内围阵列的边缘继续延伸至所述非阵列区中,并与所述第三掩膜版的所述掩蔽图形的边界相交,以利用所述第三掩膜版的所述掩蔽图形、所述第二掩膜版的所述第二线条和所述内围阵列的边界共同界定出多个边缘分格在所述内围阵列的外周围上,由所述边缘分格和所述内围阵列的所述第一分格共同构成所述分格阵列,并且所述边缘分格的开口尺寸大于所述第一分格的开口尺寸。
2.如权利要求1所述的组合掩膜版,其特征在于,所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时,所述第二掩膜版的所述第二线条从所述内围阵列的边缘延伸出的部分与所述内围阵列的边界共同界定出多个第二分格,所述第二分格部分位于所述阵列区中并部分沿着所述第二线条的延伸方向延伸至所述非阵列区中;所述第三掩膜版的所述掩蔽图形局部遮盖所述第二分格中位于所述非阵列区中的部分,并使所述第二分格中位于所述阵列区中的部分暴露出用于构成所述边缘分格。
3.如权利要求1所述的组合掩膜版,其特征在于,所述第三掩膜版的所述掩蔽图形界定出一矩形暴露区,所述矩形暴露区对应所述阵列区并用于暴露出所述分格阵列,并且所述矩形暴露区的直边用于定义出所述分格阵列的边界,以使所述分格阵列具有对应所述矩形暴露区直边的直线型边界。
4.如权利要求3所述的组合掩膜版,其特征在于,所述第三掩膜版的所述矩形暴露区具有两条平行的第一暴露区直边和两条平行的第二暴露区直边,所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边垂直相交;其中,
所述第一掩膜版的所述第一线条的延伸方向与所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边平行,所述第二掩膜版的所述第二线条相交于所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边,以使所述内围阵列具有贴近于所述第二暴露区直边的波浪型边界,以及贴近于所述第一暴露区直边的直线型边界。
5.如权利要求4所述的组合掩膜版,其特征在于,在所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时,所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边均设置在所述内围阵列的外周围,并均与所述第二线条中从所述内围阵列延伸出的部分相交,以界定出所述边缘分格在所述内围阵列的外周围上。
6.如权利要求5所述的组合掩膜版,其特征在于,所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边与最靠近的所述第一线条之间的宽度尺寸大于相邻两条所述第一线条之间的宽度尺寸,以在垂直于所述第一暴露区直边的方向上,使靠近所述第一暴露区直边的边缘分格的宽度尺寸大于所述第一分格的宽度尺寸。
7.如权利要求5所述的组合掩膜版,其特征在于,在垂直于所述第二暴露区直边的方向上,靠近所述第二暴露区直边的边缘分格的最大宽度尺寸大于所述第一分格的最大宽度尺寸。
8.如权利要求4所述的组合掩膜版,其特征在于,所述第一掩膜版的多条所述第一线条的长度均相等并且小于所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边的长度,以使所述第一线条的两个端部均对应在所述第三掩膜版的所述矩形暴露区的区域范围内,并且多条所述第一线条沿着垂直于其长度的方向对齐排布。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备