[实用新型]一种影像传感芯片的封装结构有效
申请号: | 201820575427.8 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN208127212U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 王之奇;吴明轩 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感芯片 基板 封装结构 透光盖板 遮光结构 开口 第二表面 第一表面 感光区域 背离 非感光区域 光线汇聚 开口侧壁 入射光线 像素区域 异常现象 耀斑 覆盖 成像 遮挡 照射 输出 图像 暴露 概率 申请 | ||
本申请公开了一种影像传感芯片的封装结构,其中,该封装结构包括:影像传感芯片,影像传感芯片包括相对的第一表面和第二表面,第一表面包括感光区域和非感光区域;位于影像传感芯片背离第二表面一侧的基板,基板具有开口,开口暴露出感光区域;位于基板背离影像传感芯片一侧的透光盖板,透光盖板覆盖开口;位于透光盖板朝向和/或背离基板一侧表面具有遮光结构,遮光结构覆盖开口的周缘。该遮光结构可以起到对入射光线照射到基板朝向开口侧壁的遮挡作用,从而实现了降低由于影像传感芯片的像素区域出现光线汇聚的异常现象,而导致的在影像传感芯片输出的图像中形成耀斑现象的概率,提升了影像传感芯片的成像质量。
技术领域
本申请涉及图像采集装置技术领域,更具体地说,涉及一种影像传感芯片的封装结构。
背景技术
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换为电信号的电子器件。影像传感芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作。在影像传感芯片制作完成后,再通过对影像传感芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构,以用于诸如数码相机、数码摄像机等的电子设备中。
现有技术中的影像传感芯片的封装结构主要包括扇出(Fanout)基板和透明盖板等,其中,扇出基板包括一开口,影像传感芯片的像素区域朝向该开口设置,以使得光线能够通过该开口照射在像素区域上,该开口背离影像传感芯片一侧设置有透明盖板,该透明盖板用于实现对像素传感芯片的保护。
但在具体使用过程中,由于扇出基板的开口侧面对光线的反射现象,极易使得影像传感芯片的像素区域的局部出现光线汇聚的异常现象,这些光线汇聚的区域在影像传感芯片输出的图像中就会形成耀斑(Flare)现象,从而降低影像传感芯片的成像质量。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本申请提供了一种影像传感芯片的封装结构,以实现降低由于基板开口侧面对光线的反射现象而使得影像传感芯片的像素区域出现光线汇聚的异常现象的可能,从而降低了由于这些光线汇聚的区域在影像传感芯片输出的图像中形成耀斑现象的概率,提升了影像传感芯片的成像质量。
为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:
一种影像传感芯片的封装结构,包括:
影像传感芯片,所述影像传感芯片包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面包括感光区域和非感光区域;
位于所述影像传感芯片背离所述第二表面一侧的基板,所述基板具有开口,所述开口暴露出所述感光区域;
位于所述基板背离所述影像传感芯片一侧的透光盖板,所述透光盖板覆盖所述开口;
位于所述透光盖板朝向和/或背离所述基板一侧表面具有遮光结构,所述遮光结构覆盖所述开口的周缘。
可选的,还包括:设置于所述基板上的镜头模组,所述镜头模组覆盖所述开口,与所述基板和影像传感芯片构成光学腔。
可选的,所述遮光结构位于所述透光盖板朝向所述基板一侧表面。
可选的,所述遮光结构覆盖所述开口的宽度满足第一预设公式;
所述第一预设公式为:其中,α为所述镜头模组的最大进光角度,d1为所述盖板的宽度,l为所述遮光结构覆盖所述开口的宽度。
可选的,所述遮光结构位于所述透光盖板背离所述基板一侧表面。
可选的,所述遮光结构覆盖所述开口的宽度满足第二预设公式;
所述第二预设公式为:其中,d1为所述盖板的宽度,d2为所述透光盖板的宽度,α为所述镜头模组的最大进光角度,n为所述透光盖板相对真空介质的折射率,l为所述遮光结构覆盖所述开口的宽度。
可选的,所述遮光结构为黑胶膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的