[实用新型]一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置

说明书

本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括：水槽，所述水槽具有承托面和开口；晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；高压喷水组件，所述高压喷水组件安装在所述水槽中，所述高压喷水组件包括布置在所述晶体硅花篮侧方的高压水管，所述高压水管上开设有多个面向所述晶体硅花篮的喷水开口。从喷水开口中喷出的高速水流驱动水槽内的水向晶体硅花篮上放置的晶体硅流动，水进入双层叠合的两片晶体硅之间促使双层叠合的晶体硅分离，再通过相应的水下取片装置或水上取片装置将晶体硅取出。

技术领域

本实用新型涉及一种晶体硅分离装置，特别涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置。

背景技术

在传统的湿制程晶体硅制造中，比如太阳能电池中晶硅片的制绒工艺，会形成片状的晶体硅双层叠合的情况，双层叠合的晶体硅之间由于存有液体使得两者牢牢地吸附在一起，这时需要采用措施将它们分离。比如申请号为2015104863885的中国专利公开了一种这样的工艺“晶体硅太阳电池的单面纳米绒面制备方法”，其公开到在单面制绒后如何分开双层叠合的晶体硅，具体地为用去离子水（纯水）冲洗晶体硅然后甩干，使得叠在一起的两块晶体硅分离，进而得到单面纳米绒面的晶体硅。但是这个方法中，并不能对晶体硅完全甩干，而且在甩干时容易损坏晶体硅从而导致碎片率上升。

若采用传统烘干方式即采用热风烘干，难以完全烘干晶体硅，这时由于在两片晶体硅间仍然残留少许液体使得晶体硅更加难以分离而且碎片率急剧提升；若采用不烘干晶体硅，而采用强制分离，晶体硅碎片远超预期，从而无法适用工业量产。

因此，需要设计一种分离装置，能够更好地使湿制程中由于液体存在于两者之间而吸附在一起的双层叠合的晶体硅能够容易分离。

实用新型内容

本实用新型目的是要提供一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，解决了双层晶体硅吸附叠合在一起时如何更好地分离的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提供了一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括：

水槽，所述水槽具有承托面和开口；

晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；

高压喷水组件，所述高压喷水组件安装在所述水槽中，所述高压喷水组件包括布置在所述晶体硅花篮侧方的高压水管，所述高压水管上开设有多个面向所述晶体硅花篮的喷水开口。

优化地，所述高压喷水组件通过安装支架安装在所述水槽中，通过调整所述安装支架在所述水槽中的安装位置可以调节所述高压水管的位置和方向从而调节喷水开口的开口方向。

优化地，所述喷水开口的开口方向与所述晶体硅花篮中插置的单片晶体硅表面形成角度。

优化地，所述高压水管同时布置在所述晶体硅花篮的两侧。

优化地，它还包括超声波组件，所述超声波组件包括超声波发生器和与之连接的超声波换能器，所述超声波组件用于加强趋动所述水槽中的水朝向所述晶体硅花篮流动进入双层晶体硅之间以分离晶体硅。

进一步地，所述超声波发生器为兆声波发生器。

进一步地，所述超声波换能器设置在所述水槽下方。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：