[实用新型]驱动电路结构

说明书

一种驱动电路结构。所述驱动电路结构包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路：所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻；所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管，所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上；所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端；所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。所述驱动电路结构的驱动效率得到提升。

技术领域

本实用新型涉及电路领域，尤其涉及一种驱动电路结构。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)等半导体器件的驱动电源主要是恒流源，通常是由控制芯片(IC)控制MOS管的导通时间和开关频率来控制输出电流的。

对于小功率的LED，驱动电源通常是以一颗控制芯片集成一颗LDMOS来实现上述功能的。但是，由于LDMOS的器件结构特点，要输出较大的电流，芯片面积相比VDMOS会增大，由于LDMOS内阻比较大，同等功率情况下，温升也会比VDMOS大，因此LDMOS通常用于小功率LED驱动电路。

另外，控制IC集成LDMOS的结构，由于LDMOS为高压器件，制作工艺不能与普通低压工艺兼容，生产工艺需增加单独的高压制程，制作成本会相应增加。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是提供一种驱动电路结构，以提高驱动电路结构的驱动效率，简化相应的制作工艺，降低成本。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种驱动电路结构，包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路：所述控制芯片的所述过流保护电路具有电流采样电阻；所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管，所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上；所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端；所述镜像电流VDMOS管的源极连接至所述电流采样电阻的采样端。

可选的，所述镜像电流VDMOS管的栅极与所述开关VDMOS管的栅极共同连接至所述控制芯片的驱动器；所述开关VDMOS管的源极连接至所述控制芯片的电压输出端。

可选的，所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的高压VDMOS管，所述高压VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一所述半导体衬底上；所述高压VDMOS管的漏极与所述镜像电流VDMOS管的漏极连接至所述外置电压输入端。

可选的，所述高压VDMOS管的漏极和源极之间具有串联电阻。

可选的，在所述半导体上，所述开关VDMOS管的源区面积为所述镜像电流VDMOS管的源区面积的100倍以上。

可选的，所述驱动电路结构为LED恒流驱动电路结构。

为解决上述问题，本实用新型还提供了一种驱动电路结构的制作方法，包括：在半导体衬底正面上形成开关VDMOS管的第一栅氧化层和镜像电流VDMOS管的第二栅氧化层；在所述第一栅氧化层上形成所述开关VDMOS管的第一栅层；在所述第二栅氧化层上形成所述镜像电流VDMOS管的第二栅层；采用第一掩模版，形成第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩模，进行P阱注入，形成所述开关VDMOS管的第一P阱和所述镜像电流VDMOS管的第二P阱；在第一P阱和第二P阱中进行N注入，形成所述开关VDMOS管的第一源区和所述镜像电流VDMOS管的第二源区；再次采用所述第一掩模版，形成第二掩膜层，以所述第二掩膜层为掩模，进行P型重掺杂注入，形成所述开关VDMOS管的第一P型重掺杂区和所述镜像电流VDMOS管的第二P重掺杂区；将所述第二源区连接至控制芯片的保护电路；在所述半导体衬底背面形成所述开关VDMOS管的第一漏区和所述镜像电流VDMOS管的第二漏区。