[实用新型]复合式透明导电膜和异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种复合式透明导电膜，其特征在于，包括：

第一透明导电层，所述第一透明导电层中具有空隙；

第二透明导电层，位于所述空隙中并与所述第一透明导电层连接；以及

栅线，位于所述第二透明导电层上，

其中，所述第一透明导电层具有第一透光率和第一迁移率，所述第二透明导电层具有第二透光率和第二迁移率，所述第一透光率高于所述第二透光率，所述第一迁移率高于所述第二迁移率。

2.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述第一透明导电层包括掺钛氧化铟和/或掺锆氧化铟。

3.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述第二透明导电层包括掺锡氧化铟和/或掺铝氧化锌。

4.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层位于同一平面上。

5.根据权利要求4所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度相同。

6.根据权利要求1所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述栅线包括银栅线。

7.根据权利要求6所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述栅线的尺寸小于所述第二透明导电层。

8.根据权利要求6所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述栅线与所述第一透明导电层不接触。

9.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括电池芯片和根据权利要求1至8中任一项的复合式透明导电膜，其中所述复合式透明导电膜位于所述电池芯片的两侧。

10.根据权利要求9所述的复合式透明导电膜，其特征在于，所述电池芯片包括：

单晶硅层；

第一本征层和第二本征层，分别位于所述单晶硅层的两侧；

n型掺杂层，位于所述第一本征层远离所述单晶硅层的一侧；以及

p型掺杂层，位于所述第二本征层远离所述单晶硅层的一侧。