[实用新型]一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置

说明书

本实用新型公开了一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱以及透波板，所述进气管连接于进气口上，所述出气管连接于出气口上；所述进气管和出气管之间设置有均流管，所述均流管两侧分别设置有射频机构，所述透波板设置于衬底和射频板之间，且透波板活动连接于均流管靠近射频板一侧。本实用新型在进气管和出气管之间设置有均流管，用来引导气流，能够同时进行多组硅片的镀膜工作，并且通过透波板的设置，使得放置在衬底上的硅片与透波板之间的间距可以调节至1‑2mm，使得气流在流动时，仅仅通过硅片与透波板之间的狭窄间距，可以气流可以更加容易进行均匀分布和流动，以达到更好的镀膜效果，十分值得推广。

技术领域

本实用新型涉及PECVD镀膜技术领域，具体为一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置。

背景技术

等离子体化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)技术是利用等离子体放电产生带电粒子、自由基、活性基团等物质在基片表面发生化学反应沉积薄膜的技术。因为等离子体激发了反应气体分子的活性，使沉积薄膜工艺的温度变低，而且沉积速率快，所生长薄膜致密性好，缺陷少，工艺重复性好而被广泛应用。

最早应用于半导体芯片加工工业中，用于沉积氧化硅、氮化硅薄膜；近年来液晶平板显示技术及太阳能光伏行业的蓬勃发展，PECVD技术被用于制备薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor,TFT)特别是制备非晶硅、微晶硅薄膜。这些领域的核心装备—PECVD设备的发展经历了由半导体中的小尺寸到现在用于TFT、太阳能光伏薄膜电池的大面积的过程，其等离子体放电方式也经历了高频微波的电子回旋共振放电、电感耦合放电到现在平板式甚高频电容耦合放电的过程，现有主流的PECVD设备通常采用在同一真空腔室中设置多个工艺反应室的结构形式。

现有主流技术中PECVD设备具有如下问题：1)用于大面积基板制备薄膜时，气体从反应室的一侧进入，从另一侧抽出，因而气流的均匀性很差；2) 反应室可以采用单独加热，但因多个反应室堆栈排布，势必会造成顶部的工艺反应室温度高于底部的反应室温度，从而产生各反应室相互间温度一致性较差；3)反应室分别固定在真空腔室的内壁，相互间间隙很小，造成后期维护复杂、费时、困难；4)多个反应室排布在同一个真空腔室内，造成整个装置很笨重，多时重达几吨，这使得后期维护、保养人员操作很不方便，并存在安全隐患。随着基板面积的不断增大，对薄膜均匀性、电性能提出了更高的要求，这就需要近一步提高反应室的温度一致性和气流均匀性。在射频平行板式反应室中，许多因素影响工艺反应室的温度一致性和气流均匀性。如何通过优化工艺反应室的相关设计，获得具有更高的温度一致性和气流均匀性的PECVD模块化装置，具有重要的现实意义和应用价值。

为了解决上述提出的PECVD装置的问题，现有技术中，申请号为“201310203771.6”的一种PECVD装置，其通过各反应室的上下两侧均设置有均热，通过均热的冷却均热和隔离作用，消除各反应室之间的热量辐射干扰，保证各反应室温度的一致性；同时冷却加热板具有冷却的作用的，避免工艺腔体温度过高，保护工艺腔体的密封结构，又使工艺腔体的温度不致过低，避免浪费加热的能源。

但是，针对第一条，用于大面积基板制备薄膜时，气体从反应室的一侧进入，从另一侧抽出，因而气流的均匀性很差的这个问题，上述申请文件“一种PECVD装置”，仍然没有很好的进行解决，导致镀膜效果无法达到更优，所以气流均匀性仍有待优化。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱以及透波板，沉积箱两端分别开设有进气口和出气口，所述沉积箱内腔中设置有进气管、出气管和加热装置，所述进气管连接于进气口上，所述出气管连接于出气口上；