[实用新型]一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置有效

专利信息
申请号: 201820604496.7 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN208321055U 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 姜炎;徐灯;董开群;苏晨;凌文权;刘伟 申请(专利权)人: 安徽明思科技有限公司
主分类号: B02C23/00 分类号: B02C23/00;B02C23/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230001 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 滚筒安装孔 上盖 下盖 粉碎滚筒 物料收集装置 本实用新型 筛网位置 下盖中部 出料管 出料口 多晶硅 滚筒 破碎 半圆形结构 防止污染 相对设置 相切设置 支撑柱
【说明书】:

实用新型提供一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置,包括:上盖、下盖,所述上盖、下盖为半圆形结构,所述上盖、下盖相对设置,上盖、下盖中部设有滚筒安装孔,所述滚筒安装孔内设有粉碎滚筒,粉碎滚筒的筛网位置与滚筒安装孔对应,所述上盖、下盖安装在支撑柱上,所述下盖下侧设有出料口,所述出料口上设有出料管,所述出料管与下盖相切设置。本实用新型结构合理上盖、下盖中部设有滚筒安装孔,所述滚筒安装孔内设有粉碎滚筒,粉碎滚筒的筛网位置与滚筒安装孔对应,可以防止污染。

技术领域

本实用新型涉及破碎装置技术领域,具体为一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置。

背景技术

宏观来说,多晶硅就用在两个行业:太阳能电池和半导体工业。太阳能级要求的多晶纯度是比较低的,半导体要求的多晶硅纯度是相当的高。生活中,一般太阳能电池片用的是单晶硅片,纯度只要5N-6N,即这个纯度的单晶硅是由纯度5N-6N的多晶提拉而成,而像电脑的芯片,内存……他们所要求的硅片等级要12N。太阳能和半导体行业的对于多晶的需求都是很广泛,区别在于原料的纯度,而纯度的简单差别,在技术上却是极高的差别。

多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

目前的多晶硅经破碎后主要依靠人工收集,收集过程中会产生污染,而且对员工身体影响较大、且效率较低。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置,包括:上盖、下盖,所述上盖、下盖为半圆形结构,所述上盖、下盖相对设置,上盖、下盖中部设有滚筒安装孔,所述滚筒安装孔内设有粉碎滚筒,粉碎滚筒的筛网位置与滚筒安装孔对应,所述上盖、下盖安装在支撑柱上,所述下盖下侧设有出料口,所述出料口上设有出料管,所述出料管与下盖相切设置。

所述上盖上侧设有抽气孔,抽气孔通过抽气管连接于负压抽采装置。

所述支撑柱之间设有支撑横杆,支撑横杆设置在下盖两侧。

所述支撑柱下端之间设有加强杆,加强杆两端焊接固定在支撑柱上。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构合理上盖、下盖中部设有滚筒安装孔,所述滚筒安装孔内设有粉碎滚筒,粉碎滚筒的筛网位置与滚筒安装孔对应,可以防止污染。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的主视图示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型,在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以两个元件内部的连通。

如图1、图2所示,一种多晶硅滚筒破碎物料收集装置,包括:上盖1、下盖2,所述上盖1、下盖2为半圆形结构,所述上盖1、下盖2相对设置,上盖1、下盖2中部设有滚筒安装孔3,所述滚筒安装孔3内设有粉碎滚筒,粉碎滚筒的筛网位置与滚筒安装孔3对应,所述上盖1、下盖2安装在支撑柱8上,所述下盖2下侧设有出料口4,所述出料口4上设有出料管5,所述出料管5与下盖2相切设置。

所述上盖1上侧设有抽气孔6,抽气孔6通过抽气管连接于负压抽采装置。

所述支撑柱8之间设有支撑横杆7,支撑横杆7设置在下盖2两侧。

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