[实用新型]一种n层射频基板有效
| 申请号： | 201820604553.1 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN208240849U | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张辉;党黎黎;郁发新 | 申请（专利权）人： | 杭州臻镭微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P3/18 | 分类号： | H01P3/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 基板 射频基板 介质层 本实用新型 第一金属层 电子元器件 介电常数ε 层叠耦合 从上到下 隔离性能 介电常数 介质填充 绕线电感 接地 集成度 电容 金属层 射频基 填充 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种n层射频基板，其特征在于，包括n层基板衬底和n-1层填充介质，n≥4；所述的基板衬底由上至下依次为第一金属层至第n金属层，依次记为M1至Mn，其中Mn接地；所述的n层基板衬底之间均由介质填充，共有n-1层，从上到下依次为第一介质层至第n-1介质层，介电常数依次记为ε1至ε(n-1)，其中第一介质层的ε1≥4.2，第二介质层的ε2≤3.7，厚度依次记为d1至d(n-1)；
所述的第一介质层采用6785GT_K，所述的第二介质层采用GEA-705G，d1≤40μm，d2≥60μm。
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